[发明专利]高压LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压LDMOS器件，包括漂移区和栅极，在漂移区中具有二氧化硅作为场氧隔离结构或浅槽隔离结构；其特征是，所述场氧隔离结构的上表面的中间部分具有一个下凹部；该场氧隔离结构因此横向分为第一端部、中间凹陷部和第二端部；所述栅极呈n形即中间高两边低；中间高的部分在所述场氧隔离结构的一个端部之上，一端低的部分在所述场氧隔离结构的中间凹陷部之上，另一端低的部分在栅氧化层之上。

2.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件，其特征是，在漂移区之上的二氧化硅包括栅氧化层，还包括场氧隔离结构或浅槽隔离结构；所述漂移区之上的二氧化硅呈m形即横向分为栅氧化层、场氧隔离结构的第一端部、场氧隔离结构的中间凹陷部、场氧隔离结构的第二端部、栅氧化层。

3.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件，其特征是，所述场氧隔离结构的第一端部、第二端部的宽度均为0.4μm。

4.如权利要求1所述的高压LDMOS器件单独制造的方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，形成高压LDMOS器件的埋层、阱区、漂移区和场氧隔离结构或浅槽隔离结构，其中在漂移区的部分表面上具有一个场氧隔离结构或浅槽隔离结构；

第2步，在整个硅片氧化一层二氧化硅作为高压LDMOS器件的栅氧化层；

第3步，采用光刻和刻蚀工艺，将漂移区中的场氧隔离结构的中间部分刻蚀掉一部分，形成一个下凹部；该漂移区中的场氧隔离结构因此横向分为第一端部、中间凹陷部和第二端部；

第4步，形成多晶硅栅极、源极、漏极和衬底引出区；其中多晶硅栅极呈n形即中间高两头低，中间高的部分在漂移区中的场氧隔离结构的一端部之上，一端低的部分在在漂移区中的场氧隔离结构的中间凹陷部之上，另一端低的部分在栅氧化层之上。

5.根据权利要求4所述的高压LDMOS器件单独制造的方法，其特征是，所述方法第3步中，漂移区中的场氧隔离结构的中间部分刻蚀掉的厚度为第2步所氧化的栅氧化层的两倍厚度。

6.如权利要求1所述的高压LDMOS器件与低压LDMOS器件一起制造的方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，硅片上已通过隔离结构完成了各个LDMOS器件之间的隔离，且已形成每个LDMOS器件的外延层、埋层、阱区、漂移区和场氧隔离结构或浅槽隔离结构；其中在漂移区的部分表面上具有一个场氧隔离结构或浅槽隔离结构；

第2步，在整个硅片热氧化生长一层二氧化硅作为高压LDMOS区域的栅氧化层；

第3步，采用光刻和刻蚀工艺，将高压LDMOS区域中漂移区中的场氧隔离结构的中间部分去除掉一部分、以及将低压LDMOS区域于第2步所氧化的二氧化硅全部去除掉；

第4步，在整个硅片表面暴露出硅的区域热氧化生长一层二氧化硅作为低压LDMOS区域的栅氧化层；

第5步，形成各个LDMOS器件的多晶硅栅极、源极、漏极和衬底引出区；其中高压LDMOS区域中的多晶硅栅极呈n形即中间高两头低，中间高的部分在漂移区中的场氧隔离结构的一端部之上，一端低的部分在在漂移区中的场氧隔离结构的中间凹陷部之上，另一端低的部分在栅氧化层之上。

7.根据权利要求6所述的高压LDMOS器件与低压LDMOS器件一起制造的方法，其特征是，所述方法第3步中，漂移区中的场氧隔离结构的中间部分刻蚀掉的厚度为第2步所氧化的栅氧化层的两倍厚度。

8.根据权利要求6所述的高压LDMOS器件与低压LDMOS器件一起制造的方法，其特征是，所述方法第3步中，采用湿法腐蚀工艺将漂移区中的场氧隔离结构的中间部分刻蚀掉一部分，同时将低压LDMOS区域于第2步所氧化的二氧化硅全部去除掉。