[发明专利]具有宽视角的发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110393782.6 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102683530A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 林均彦;林永铭;叶伯淳;游政卫;赖志明;彭隆瀚 | 申请（专利权）人： | 光磊科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;常大军 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有宽视角的发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：一基板；多个柱状结构，形成于该基板上，每一该柱状结构中均包括一第一型半导体层、一作用层、与一第二型半导体层，其中该第一型半导体层是形成于该基板上，且该些柱状结构是利用该第一型半导体层达成电气的连接关系；一填充结构形成于该些柱状结构之间；一透明导电层，覆盖于该表面钝化层、电气隔离层与该些柱状结构中该第二型半导体层所形成的一表面上；一第一电极接触于该透明导电层；以及一第二电极接触于该第一型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 视角 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包括：一基板；多个柱状结构，形成于该基板上，每一该柱状结构中均包括一第一型半导体层、一作用层、与一第二型半导体层，其中该第一型半导体层形成于该基板上，且该些柱状结构利用该第一型半导体层达成电气的连接关系；一填充结构，形成于该些柱状结构之间；一透明导电层，覆盖于该填充结构与该些柱状结构中该第二型半导体层所形成的一表面上；一第一电极接触于该透明导电层；以及一第二电极接触于该第一型半导体层。
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