[发明专利]内层电介质沉积方法、集成电路制造方法以及集成电路无效
| 申请号： | 201110388538.0 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102427035A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 王灼平;沈玺 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种内层电介质沉积方法、集成电路制造方法以及集成电路。根据本发明的内层电介质沉积方法包括：提供形成有半导体器件的晶片；在晶片上沉积氮氧化硅SiON；以及沉积内层电介质层。根据本发明，在执行沉积内层电介质层的工艺之前，增加了沉积氮氧化硅SiON的步骤；由此，由于沉积了氮氧化硅SiON，沉积的内层电介质层的中的杂质离子不会对半导体器件区域造成影响，由此降低了器件的TDDB效应；并且，还提高了作为栅极氧化层的TGO层的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 内层 电介质 沉积 方法 集成电路 制造 以及 | ||
【主权项】：
一种内层电介质沉积方法，其特征在于包括步骤：提供形成有半导体器件的晶片；在晶片上沉积氮氧化硅SiON；以及沉积内层电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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