[发明专利]内层电介质沉积方法、集成电路制造方法以及集成电路无效
| 申请号： | 201110388538.0 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102427035A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 王灼平;沈玺 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内层 电介质 沉积 方法 集成电路 制造 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种内层电介质沉积方法，其特征在于包括步骤：
提供形成有半导体器件的晶片；
在晶片上沉积氮氧化硅SiON；以及
沉积内层电介质层。
2.根据权利要求1所述的内层电介质沉积方法，其特征在于，在所述在晶片上沉积氮氧化硅SiON的步骤中，沉积的氮氧化硅层厚度为300～500埃。
3.根据权利要求1或2所述的内层电介质沉积方法，其特征在于，在所述在晶片上沉积氮氧化硅SiON的步骤中，沉积氮氧化硅的沉积工艺参数温度400摄氏度。
4.根据权利要求1或2所述的内层电介质沉积方法，其特征在于，在所述沉积内层电介质层步骤中，所沉积的内层电介质层是掺有硼和磷的硅玻璃层。
5.根据权利要求1或2所述的内层电介质沉积方法，其特征在于，所述沉积内层电介质层的步骤包括：在射频偏置功率为3000瓦或4000瓦下执行高密度等离子体沉积。
6.根据权利要求1或2所述的内层电介质沉积方法，其特征在于，内层电介质沉积方法用于硅锗工艺。
7.一种集成电路制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至6之一所述的内层电介质沉积方法。
8.一种根据权利要求7所述的集成电路制造方法制造的集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
