[发明专利]一种碳纳米管/三元硫属半导体纳米复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110388492.2 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102557002A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 吴惠霞;张豪强;刘丹丹;朱亚超;杨仕平 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C01G15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 吴瑾瑜 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MWCNT/CuInS2(MWCNT为多壁碳纳米管)三元硫属半导体纳米粒子复合材料的制备方法，该材料是在多壁碳纳米管上修饰CuInS2半导体纳米粒子，所述半导体纳米粒子通过溶剂热法原位沉积在碳纳米管上。经上述方法制备出来的纳米复合材料具有较好的非线性光学性能，是一种良好的非线性光学材料。另外，本发明的制备方法无需事先对碳纳米管进行氧化处理，使得碳纳米管的结构和性能的完整性得到了很好的保护，也不必在碳纳米管表面预修饰聚合物或表面活性剂，并且还是首次将半导体CuInS2纳米粒子修饰在碳纳米管上，具有操作简单、原料成本低廉和易得等诸多优点，适合工业化大生产与实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 三元 半导体 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管/三元硫属半导体纳米粒子复合材料，在碳纳米管上包覆一层三元硫属半导体纳米粒子，其特征在于，所述碳纳米管为多壁碳纳米管，所述三元硫属半导体纳米粒子为CuInS2。
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