[发明专利]提高金属-绝缘层-金属电容层多次光刻重复性的方法有效
| 申请号： | 201110386908.7 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102569037A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张亮;毛智彪;胡友存;陈玉文;姬峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高金属-绝缘层-金属（MIM）电容层多次光刻重复性的方法，包括：在金属互连布线层基底上制作一金属-绝缘层-金属结构的电容层淀积一层介质抗反射层，对所述介质抗反射层进行第一次光刻工艺，曝光不合格；去除所述光刻胶及第一底部抗反射层，所述第一介质抗反射层受损，形成变质介质抗反射层；刻蚀去除变质第一介质抗反射层；在所述金属-绝缘层-金属结构的电容层表面重新沉积一层与所述第一介质抗反射层性质形同的第二介质抗反射层，进行第二次光刻。可以实现快速、有效、可靠地方法提高MIM电容层曝光返工参数稳定性和可重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 金属 绝缘 电容 多次 光刻 重复性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高金属‑绝缘层‑金属电容层多次光刻重复性的方法，包括：步骤S1:在金属互连布线层基底上制作一金属‑绝缘层‑金属结构的电容层；步骤S2：在所述金属‑绝缘层‑金属结构的电容层表面沉积形成一层第一介质抗反射层；步骤S3：淀积第一层底部抗反射层，所述第一底部抗反射层覆盖在所述第一介质抗反射层上；步骤S4：在所述第一底部抗反射层旋涂一层光刻胶并进行曝光；步骤S5：去除所述光刻胶及第一底部抗反射层,所述第一介质抗反射层受损，形成变质介质抗反射层；其特征在于，还包括以下步骤：步骤S6：刻蚀去除变质第一介质抗反射层；步骤S7：在所述金属‑绝缘层‑金属结构的电容层表面重新沉积一层第二介质抗反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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