[发明专利]具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管

摘要

本发明提供一种具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其栅极结构具有至少一圆柱状鳍使得栅极结构的底部形成凹凸状，前述的凹入式栅极晶体管包含：半导体基底、第一絶缘区和第二絶缘区设置在半导体基底中，主动区域位在第一絶缘区和第二絶缘区之间、栅极结构设置在半导体基底中，栅极结构的下部分包含一个前方鳍、至少一个中间鳍和一个后方鳍，前方鳍设置在第一絶缘区，中间鳍设置在主动区域中，后方鳍设置在第二絶缘区，前方鳍和后方鳍均为圆柱形、源极掺杂区位在栅极结构的一侧以及漏极掺杂区位在栅极结构的另一侧。

主权项

一种具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，包含有：半导体基底；第一絶缘区和第二絶缘区同时设置在所述半导体基底中，及在第一絶缘区和第二絶缘区中间定义出一个主动区域；栅极结构，设置在所述半导体基底中，其中栅极结构具有上部分和下部分，所述上部分在所述主动区域中，所述下部分具有一个前方鳍、至少一个中间鳍和一个后方鳍，前方鳍在所述第一絶缘区，中间鳍在所述主动区域中，后方鳍在所述第二絶缘区，其特征在于前方鳍和后方鳍都是圆柱形；源极掺杂区，设置在所述主动区域中并且位在所述栅极结构的一侧；以及漏极掺杂区，设置在所述主动区域中并且位在所述栅极结构的另一侧。