[发明专利]具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管

权利要求书

1.一种具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，包含有：

半导体基底；

第一絶缘区和第二絶缘区同时设置在所述半导体基底中，及在第一絶缘区和第二絶缘区中间定义出一个主动区域；

栅极结构，设置在所述半导体基底中，其中栅极结构具有上部分和下部分，所述上部分在所述主动区域中，所述下部分具有一个前方鳍、至少一个中间鳍和一个后方鳍，前方鳍在所述第一絶缘区，中间鳍在所述主动区域中，后方鳍在所述第二絶缘区，其特征在于前方鳍和后方鳍都是圆柱形；

源极掺杂区，设置在所述主动区域中并且位在所述栅极结构的一侧；以及

漏极掺杂区，设置在所述主动区域中并且位在所述栅极结构的另一侧。

2.如权利要求1所述的具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，前方鳍和后方鳍对称。

3.如权利要求1所述的具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，栅极结构的下部分还包括一个结合组件，所述结合组件连接前方鳍和中间鳍，其中，中间鳍和前方鳍相邻。

4.如权利要求1所述的具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，栅极结构的下部分更包含一个结合组件，所述结合组件连接后方鳍和中间鳍，其中，中间鳍和后方鳍相邻。

5.如权利要求1所述的具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，前方鳍和前方鳍相邻的中间鳍定义出第一凹入区域，而后方鳍和与后方鳍相邻的中间鳍定义出第二凹入区域。

6.如权利要求5所述的具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，半导体基底的主动区域中包含第一突出部和第二突出部。

7.如权利要求6所述的具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，第一突出部嵌入所述第一凹入区域，第二突出部嵌入所述第二凹入区域。

8.如权利要求6所述的具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，第一突出部位在前方鳍和与前方鳍相邻的中间鳍之间。

9.如权利要求6所述的具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，第二突出部位在后方鳍和与后方鳍相邻的中间鳍之间。

10.如权利要求1所述的具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，闸极结构的上部分包含垂直侧壁。

11.如权利要求1所述的具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，栅极结构的下部分包含凹凸状底部。

12.如权利要求1所述的具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，由源极掺杂区向漏极掺杂区观看，所述栅极结构的下部分为M形。

13.如权利要求1所述的具有圆柱状鳍的凹入式栅极晶体管，其特征在于，前方鯺的半径大于中间鳍的半径。