[发明专利]一种集成电路芯片重新布线的压印方法有效
| 申请号: | 201110381993.8 | 申请日: | 2011-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN102522366B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
| 发明(设计)人: | 金鹏;李磊 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281 | 代理人: | 郭燕 |
| 地址: | 518055 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种晶圆级倒装芯片重新布线的机械压印制作方法。利用纳米金属颗粒溶液通过模具压印的方法进行倒装芯片的重新布线,将金属纳米颗粒有机溶液涂覆在硅圆片上,然后利用制备好的模具与晶圆片精确对齐,在一定的条件下,给模具以压力使得溶液在模具空腔内完全填充,蒸发溶液再冷却脱模,加温使分散的金属纳米颗粒熔融固化成连续的金属布线。本方法利用纳米金属颗粒溶液的粘度小,通过模具压印实现其流动,并且在低温低压下就可以熔化凝结成连续的块金属线。通过机械的方式在晶圆上实现重新布线,具有工艺简单,原材料利用率高,可靠性高,线条的宽度和间距可以灵活控制等优点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 集成电路 芯片 重新 布线 压印 方法 | ||
【主权项】:
一种实现晶圆级倒装芯片重新布线的制作方法,其特征在于:所述方法包括:步骤一:在硅圆片上淀积第一介质钝化层;步骤二:对所述第一介质钝化层进行光刻,使露出I/O互连焊点;步骤三:在所述硅圆片上涂覆适量的纳米金属颗粒溶液,用印压模具挤压所述溶液,使其填满所述印压模具的空腔,所述印压模具的图形部分由空腔和突出部分组成,所述空腔结构决定互连线宽度和焊盘形状,所述突出部分决定互连线线间距;步骤四:蒸发所述溶液,冷却并脱模后,在预定的温度和压力条件下加热纳米金属颗粒,使其熔融并凝结成块状金属,完成金属互连线;步骤五:在所述金属互连线和第一介质钝化层上淀积第二介质钝化层,并刻蚀露出焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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