[发明专利]一种集成电路芯片重新布线的压印方法

权利要求书

1.一种实现晶圆级倒装芯片重新布线的制作方法，其特征在于：所述方法包括：

步骤一：在硅圆片上淀积第一介质钝化层；

步骤二：对所述第一介质钝化层进行光刻，使露出I/O互连焊点；

步骤三：在所述硅圆片上涂覆适量的纳米金属颗粒溶液，用印压模具挤压所述溶液，使其填满所述印压模具的空腔，所述印压模具的图形部分由空腔和突出部分组成，所述空腔结构决定互连线宽度和焊盘形状，所述突出部分决定互连线线间距；

步骤四：蒸发所述溶液，冷却并脱模后，在预定的温度和压力条件下加热纳米金属颗粒，使其熔融并凝结成块状金属，完成金属互连线；

步骤五：在所述金属互连线和第一介质钝化层上淀积第二介质钝化层，并刻蚀露出焊盘。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述空腔截面形状制成倒梯形或弧形，所述空腔在预定制作焊盘的位置为焊盘的形状。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述纳米金属颗粒溶液的材料是金、银、铜中的至少一种与有机溶剂混合而成的材料。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤四的具体步骤包括蒸发所述溶液，冷却并脱模后，在130°-940℃的温度范围内，和小于40kPa的压力条件下加热尺寸为2-10nm的纳米金属颗粒，使其熔融并凝结成块状金属，完成金属互连线。