[发明专利]一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201110381115.6 申请日: 2011-11-26
公开(公告)号: CN102392282A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 武卫兵;陈晓东;刘宽菲;胡广达 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: C25D9/00 分类号: C25D9/00;C30B29/48;C30B7/12;C30B30/02;H01L31/18;H01L31/0296
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 李桂存
地址: 250022 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及碲化镉半导体薄膜制备技术领域一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法,采用三电极电化学沉积体系,在温度为20℃~80℃、阴极沉积电位为-1.0V~-2.0V下从碱性前躯体沉积溶液中电化学沉积CdTe薄膜在沉积基体上,并通过对沉积出的CdTe薄膜退火处理来提高薄膜的结晶质量。采用高的阴极电位避免了低阴极电位下形成的非晶态CdTe在后期热晶化处理时薄膜缩聚所导致的开裂问题;采用弱碱性溶液,减少了电解质溶液对沉积基底的腐蚀;弱碱性溶液中H+离子浓度低,电沉积过程中生成的H2气较少,解决了沉积过程中氢气生成引起的针状气孔问题,薄膜致密度和光电性能大大改善。
搜索关键词: 一种 碱性 条件下 电化学 制备 碲化镉 半导体 薄膜 方法
【主权项】:
一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法,其特征是采用三电极电化学沉积体系,在温度为20℃~80℃、阴极沉积电位为‑1.0V~‑2.0V下从碱性前躯体沉积溶液中电化学沉积CdTe薄膜在沉积基体上,沉积时间为10~120min,将沉积出的CdTe薄膜退火处理;所述碱性前躯体沉积溶液中含有0.0001 ~ 0.5mol/L碲的前躯体、0.005 ~ 0.5mol/L镉盐和0.005 ~ 0.5mol/L络合剂;所述的络合剂为乙二胺四乙酸或氨三乙酸。
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