[发明专利]一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法

权利要求书

1.一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法，其特征是采用三电极电化学沉积体系，在温度为20℃～80℃、阴极沉积电位为-1.0V~-2.0V下从碱性前躯体沉积溶液中电化学沉积CdTe薄膜在沉积基体上，沉积时间为10~120min，将沉积出的CdTe薄膜退火处理；

所述碱性前躯体沉积溶液中含有0.0001 ~ 0.5mol/L碲的前躯体、0.005 ~ 0.5mol/L镉盐和0.005 ~ 0.5mol/L络合剂；

所述的络合剂为乙二胺四乙酸或氨三乙酸。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于碱性前躯体沉积溶液中含有0.001~0.01mol/L碲的前驱体、0.005~0.05mol/L镉盐和0.01~0.03mol/L络合剂。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于碱性前躯体沉积溶液中碲的前躯体与镉盐的摩尔比率为1:1~5，镉盐和络合剂的摩尔比率为1:1~4，碱性前躯体沉积溶液pH为7.5~11.5。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的碲的前躯体为二氧化碲或亚碲酸盐，亚碲酸盐为K₂TeO₃或Na₂TeO₃，所述的镉盐为硝酸镉、硝酸镉水合物、氯化镉、氯化镉水合物、硫酸镉、硫酸镉水合物、醋酸镉或醋酸镉水合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于采用的三电极电化学沉积体系中，工作电极为沉积基体，参比电极为氧化汞电极，所用的沉积基体为FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、沉积CdS薄膜的ITO或FTO导电玻璃或者沉积ZnO的ITO或FTO导电玻璃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于碱性前躯体沉积溶液中镉盐和络合剂的摩尔比率为1:3，碱性前躯体沉积溶液pH为9.8，在温度为50℃、阴极沉积电位为-1.5V，沉积时间为5min。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于将沉积出的CdTe薄膜在温度320~450℃退火处理，保护气氛为氮气或氩气。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于沉积基体在沉积之前清洗干净。