[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110360297.9 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103107281A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 曾贤成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，旨在消除读写数据时相邻的磁隧道结之间的磁场感应“互扰”(串音)现象。该半导体器件包括磁隧道结单元和围绕磁隧道结单元侧壁的磁场屏蔽材料层。制造半导体器件的方法包括形成磁隧道结单元，沉积隔离电介质层以覆盖磁隧道结单元的顶部和侧壁，在隔离电介质层上沉积磁场屏蔽材料层。磁场屏蔽材料层消除或减弱相邻的磁隧道结之间的磁场感应以及消除磁场感应“互扰”现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括：形成磁隧道结单元；沉积隔离电介质层以覆盖所述磁隧道结单元的顶部和侧壁；以及在所述隔离电介质层上沉积磁场屏蔽材料层，所述磁场屏蔽材料层具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述磁隧道结单元上方，所述第二部分隔着所述隔离电介质层与所述磁隧道结单元的侧壁相邻。
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