[发明专利]表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201110352096.4 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103102158A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 高剑琴;黄政仁;陈健;刘桂玲;刘学建 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，该方法包括以下步骤：测量SiC粉体表面的氧含量，并根据3C+SiO2＝SiC+2CO↑计算出所需的碳含量；加入烧结助剂B和C混合浆料，配比如下：烧结助剂与SiC粉体的混合物∶磨球∶分散介质＝1∶3∶1；烘干浆料、过筛，成型后除去粘结剂；在流动惰性气体保护下，以烧结温度为2050-2200℃进行烧结，保温时间1-4小时，生成致密的SiC陶瓷；对所得的致密的SiC陶瓷进行机械加工；对经机械加工的SiC陶瓷进行超声清洗以去除陶瓷表面上的残留粒子和沾污物。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 质量 提高 烧结 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，该方法包括以下步骤：测量SiC粉体表面的氧含量，并根据3C+SiO2＝SiC+2CO↑计算出所需的碳含量；加入烧结助剂B和C混合浆料，配比如下：烧结助剂与SiC粉体的混合物∶磨球∶分散介质＝1∶3∶1；烘干浆料、过筛，成型后除去粘结剂；在流动惰性气体保护下，以烧结温度为2050‑2200℃进行烧结，保温时间1‑4小时，生成致密的SiC陶瓷；对所得的致密的SiC陶瓷进行机械加工；对经机械加工的SiC陶瓷进行超声清洗以去除陶瓷表面上的残留粒子和沾污物。
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