[发明专利]磷化铟晶片及其表面清洗方法有效
| 申请号： | 201110352001.9 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102456549A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 徐卫;任殿胜;李娟;刘文森 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;王媛 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明要求保护一种清洗磷化铟晶片的方法，包括以下步骤：(1)在-10至25℃用一种含有H2O2的氨水溶液处理晶片；(2)用去离子水洗涤晶片；(3)在-10至55℃用一种浓酸处理晶片；(4)用去离子水洗涤晶片；(5)在-10至35℃用一种有机酸溶液处理晶片；(6)用去离子水洗涤晶片；以及(7)干燥所得晶片。本发明的方法不但能够有效地减少磷化铟晶片、特别是磷化铟特殊晶向角度晶片表面颗粒和金属残留，而且还能提高其表面的腐蚀均匀性并降低白雾值。由此获得的磷化铟晶片能很好地满足“开盒即用”的外延生长要求。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 晶片 及其 表面 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种清洗磷化铟晶片的方法，包括以下步骤：(1)在‑10至25℃用一种含有H2O2的氨水溶液处理晶片；(2)用去离子水洗涤晶片；(3)在‑10至55℃用一种浓酸处理晶片；(4)用去离子水洗涤晶片；(5)在‑10至35℃用一种有机酸溶液处理晶片；(6)用去离子水洗涤晶片；以及(7)干燥所得晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
