[发明专利]磷化铟晶片及其表面清洗方法

权利要求书

1.一种清洗磷化铟晶片的方法，包括以下步骤：

(1)在-10至25℃用一种含有H₂O₂的氨水溶液处理晶片；

(2)用去离子水洗涤晶片；

(3)在-10至55℃用一种浓酸处理晶片；

(4)用去离子水洗涤晶片；

(5)在-10至35℃用一种有机酸溶液处理晶片；

(6)用去离子水洗涤晶片；以及

(7)干燥所得晶片。

2.权利要求1的方法，其中步骤(1)使用的晶片是已经完成机械化学抛光和化学精细抛光的晶片，其抛光面表面微观粗糙度Ra≤0.5nm。

3.权利要求1的方法，其中步骤(1)中氨水的浓度C₁、处理温度T₁和处理时间P₁满足以下关系：

30≤C₁×P₁×(T₁+273.15)/1000≤1,100

上式中，浓度单位为重量百分比浓度，处理温度为摄氏度，处理时间为秒。

4.权利要求1的方法，其中在步骤(3)之后、步骤(4)之前，还包括一个步骤(3A)：在-10至30℃用一种浓酸处理晶片。

5.权利要求1的方法，其中步骤(3)和(3A)使用的所述浓酸为无机酸，其浓度为其操作温度的饱和浓度的60％以上。

6.权利要求4的方法，其中步骤(3)的酸的浓度C₃、处理温度T₃和处理时间P₃与步骤(3A)的酸的浓度C_3A、处理温度T_3A和处理时间P_3A之间满足以下关系：

2×C_3A×P_3A×(T_3A+273.15)≤C₃×P₃×(T₃+273.15)

≤3×C_3A×P_3A×(T_3A+273.15)

上式中，浓度单位为重量百分比浓度，处理温度为摄氏度，处理时间为秒。

7.权利要求1的方法，其中步骤(5)的酸为柠檬酸。

8.权利要求4的方法，其中步骤(3)的酸的浓度C₃、处理温度T₃和处理时间P₃与步骤(3A)的酸的浓度C_3A、处理温度T_3A和处理时间P_3A以及与步骤(5)中酸的浓度C₅、处理温度T₅和处理时间P₅满足以下关系：

1/12[C₃×P₃×(T₃+273.15)+C_3A×P_3A×(T_3A+273.15)]

≤C₅×P₅×(T₅+273.15)

≤1/4[C₃×P₃×(T₃+273.15)+C_3A×P_3A×(T_3A+273.15)]，

上式中，浓度单位为重量百分比浓度，处理温度为摄氏度，处理时间为秒。

9.一种磷化铟晶片，其中每平方厘米晶片表面截面积中大于0.11μm²的颗粒≤3.3颗/cm²，晶片表面的金属残留Cu≤10×10¹⁰原子/cm²，Zn≤10×10¹⁰原子/cm²，表面平均白雾值≤1.0ppm。

10.权利要求9的磷化铟晶片，其为磷化铟(111)B或磷化铟(311)B晶向角度晶片。