[发明专利]制造半导体膜的装置及方法有效
| 申请号： | 201110350459.0 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094407A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 萧旭东;张撷秋;杨世航;朱家宽;邹承德;叶荏硕 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;阴亮 |
| 地址： | 中国香*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了制造半导体膜的方法，包括如下步骤：提供基板、使至少一种化学元素的原子依次进行热蒸发和热裂解两个阶段从而形成自由基以及将所述自由基沉淀到所述基板的表面；还公开了制造半导体膜的装置，包括真空室，在所述真空室上设置有至少一个热裂解部件，所述热裂解部件分为均与真空室内部相连通的低温区和高温区，所述高温区中还设置有碰撞板。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
制造半导体膜的装置，包括真空室(5)，在所述真空室(5)上设置有至少一个热裂解部件(10)，所述热裂解部件(10)分为相连通的低温区(8)和高温区(9)，所述高温区(9)还与所述真空室(5)内部相连通且其中还设置有碰撞板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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