[发明专利]一种用于形成半导体器件金属图形的剥离工艺方法无效
| 申请号： | 201110348874.2 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094096A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;G03F7/00;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于形成半导体器件金属图形的剥离工艺方法，用可显影材料代替传统的两层光刻胶剥离工艺中的底层光刻胶，即在要制作金属图形的基片上先旋涂一层可显影材料，烘烤后再旋涂一层光刻胶，经一次带掩模版的曝光后，上层光刻胶的曝光区域和下层可显影材料都可被显影液溶解，因此在后续的显影过程中，由于显影液对下层可显影材料的纵向和横向同时显影，即可获得类T字形上宽下窄的光刻胶和可显影材料的组合图形，再经过在光刻胶图形表面金属溅射或蒸发，光刻胶和可显影材料剥离等步骤就可获得所需的金属图形。本发明解决了传统的两层光刻胶剥离工艺中工艺复杂，成本高，以及两层光刻胶之间互溶的问题，并获得所需的金属图形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 形成 半导体器件 金属 图形 剥离 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件金属图形的剥离工艺方法，其特征在于，用可显影材料代替传统的两层光刻胶剥离工艺中的底层光刻胶，以获得类T字形上宽下窄的光刻胶和可显影材料的组合图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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