[发明专利]一种用于形成半导体器件金属图形的剥离工艺方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件金属图形的剥离工艺方法，其特征在于，用可显影材料代替传统的两层光刻胶剥离工艺中的底层光刻胶，以获得类T字形上宽下窄的光刻胶和可显影材料的组合图形。

2.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件金属图形的剥离工艺方法，其特征在于，包括如下主要步骤：

(1)提供一需要制作金属膜图形的基片，在所述基片上进行可显影材料的旋涂和烘烤；

(2)进行光刻胶的旋涂和烘烤；

(3)使用掩模版进行曝光，光刻胶曝光区域变得可溶于显影液；

(4)对曝光后的基片进行显影及烘烤，形成类T字形上宽下窄的光刻胶和可显影材料的组合图形；

(5)使用物理溅射或蒸发的方法在基片及光刻胶图形上生长一层金属膜；

(6)使用光刻胶剥离液去除光刻胶和可显影材料，光刻胶上面的金属膜也同时被去除，而基片上的金属膜得以保留。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的可显影材料不能溶于步骤(2)所述的光刻胶所使用的溶剂，但可以溶于常用的四甲基氢氧化氨显影液和常用的光刻胶剥离液。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的可显影材料的主要组分包括：组分A：烷烃类、酮类、酯类、醚类有机溶剂，组分B：含羧酸基团重复单元的聚合物，组分C：环氧基类或三聚氰胺类有机交联剂。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述组分A占可显影材料的质量百分比含量为10-80％，所述组分B占可显影材料的质量百分比含量为2-70％，所述组分C占可显影材料的质量百分比含量为0.1-10％。

6.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述的可显影材料是Fuji Film公司的Durimide 116A。

7.根据权利要求2或3或4或5或6所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的可显影材料旋涂和烘烤以后的厚度为0.5-50微米。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的光刻胶为正性或负性光刻胶，其曝光波长为436纳米的G-line或365纳米的I-line或248纳米的KrF或193纳米的ArF。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述的金属膜是指难以用通常的湿法或干法刻蚀进行腐蚀的金属。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的金属膜采用铜、金、钛、镍、银、铂或铬。

11.根据权利要求2或9或10所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述的金属膜的厚度为0.1-40微米，且所述的金属膜的厚度要小于步骤(1)所述的可显影材料的厚度。

12.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(6)中，所述的光刻胶剥离液既能剥离步骤(1)所述的可显影材料，又可以剥离步骤(2)所述的光刻胶。

13.根据权利要求2或12所述的方法，其特征在于，在步骤(6)中，所述的光刻胶剥离液为N-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯或乳酸乙酯。