[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110348386.1 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102543730A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 多木俊裕;金村雅仁 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;张浴月 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件的制造方法。在半导体层的表面上形成抗蚀剂图案，在该半导体层中在基板上依序形成有第一层和第二层。通过去除所述抗蚀剂图案的开口区域中的一部分或整个第二层来形成栅凹。去除抗蚀剂图案。在去除抗蚀剂图案后，去除附着在栅凹的底面和侧面的干蚀刻残留物。在去除干蚀刻残留物后，在所述底面、所述侧面以及所述半导体层上形成绝缘膜。在所述栅凹所形成的区域上经由所述绝缘膜形成栅极。在所述半导体层上形成源极和漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体层的表面上形成抗蚀剂图案，在所述半导体层中在基板上依序形成有第一层以及第二层；通过去除所述抗蚀剂图案的开口区域中的一部分或整个的所述第二层来形成栅凹；去除所述抗蚀剂图案；在去除所述抗蚀剂图案后，去除附着在所述栅凹的底面和侧面的干蚀刻残留物；在去除所述干蚀刻残留物后，于所述底面、所述侧面以及所述半导体层上形成绝缘膜；在所述栅凹所形成的区域上经由所述绝缘膜形成栅极；以及在所述半导体层上形成源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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