[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

在半导体层的表面上形成抗蚀剂图案，在所述半导体层中在基板上依序形成有第一层以及第二层；

通过去除所述抗蚀剂图案的开口区域中的一部分或整个的所述第二层来形成栅凹；

去除所述抗蚀剂图案；

在去除所述抗蚀剂图案后，去除附着在所述栅凹的底面和侧面的干蚀刻残留物；

在去除所述干蚀刻残留物后，于所述底面、所述侧面以及所述半导体层上形成绝缘膜；

在所述栅凹所形成的区域上经由所述绝缘膜形成栅极；以及

在所述半导体层上形成源极和漏极。

2.一种半导体器件的制造方法，包括：

在半导体层的表面上形成抗蚀剂图案，在所述半导体层中在基板上依序形成有第一层、第二层以及第三层；

通过去除所述抗蚀剂图案的开口区域中的一部分或整个的所述第三层来形成栅凹；

去除所述抗蚀剂图案；

在去除所述抗蚀剂图案后，去除附着在所述栅凹的底面和侧面的干蚀刻残留物；

在去除所述干蚀刻残留物后，于所述底面、所述侧面以及所述半导体层上形成绝缘膜；

在所述栅凹所形成的区域上经由所述绝缘膜形成栅极；以及

在所述半导体层上形成源极和漏极。

3.如权利要求1中所述的方法，其中所述半导体层包括形成在所述第二层上的第三层，以及通过去除整个所述第三层以及一部分或整个所述第二层来形成所述栅凹。

4.如权利要求3中所述的方法，其中在所述第二层上形成有n-GaN层，在所述n-GaN层上形成有AlN层，以及在所述AlN层上形成所述第三层。

5.如权利要求1至4任一项中所述的方法，其中，通过选自以下的一个或多个处理来去除所述干蚀刻残留物：酸处理、有机处理、水净化处理、过热蒸汽处理、超临界水处理、超临界CO2处理、热处理、等离子处理以及紫外线处理。

6.如权利要求1至4任一项中所述的方法，其中通过选自以下的两个或更多个处理来去除所述干蚀刻残留物：酸处理、碱处理、有机处理、水净化处理、过热蒸汽处理、超临界水处理、超临界CO2处理、热处理、等离子处理以及紫外线处理，其中所述两个或更多个处理被依序进行。

7.如权利要求5中所述的方法，其中通过选自以下的一个或多个化合物来进行所述酸处理：盐酸、氢氟酸、硝酸、硫酸、磷酸、硼酸、以及这些酸的任一与过氧化氢的混合物。

8.如权利要求5中所述的方法，其中通过选自以下的一个或多个来进行所述碱处理：氢氧化钾、氢氧化钠、氨、氢氧化钙、四氧基氢氧化铵、以及这些碱的任一与过氧化氢的混合物。

9.如权利要求5中所述的方法，其中通过选自以下的一个或多个来进行所述有机处理：乙醇、乙醛、酮、羧酸、以及它们的衍生物。

10.如权利要求5中所述的方法，其中所述热处理、所述等离子处理以及所述紫外线处理是在形成所述绝缘膜时所使用的器件内进行。

11.如权利要求1中所述的方法，其中，所述半导体层是由外延生长而形成。

12.如权利要求1中所述的方法，其中所述半导体层是由氮化物半导体形成。

13.如权利要求1中所述的方法，其中所述第一半导体包括i-GaN。

14.如权利要求1中所述的方法，其中所述第二层包括AlGaN和InAlN的其中之一。

15.如权利要求1中所述的方法，还包括：

在形成所述栅极后，通过去除在所述源极和所述漏极所形成的区域中的绝缘膜来暴露所述半导体层；以及

在暴露所述半导体的区域中形成所述源极和所述漏极。

16.如权利要求1中所述的方法，其中在所述抗蚀剂图案形成于所述半导体层上之前，在所述半导体层上形成所述源极和所述漏极；

在去除所述抗蚀剂图案后，形成用于保护所述源极和所述漏极的保护膜，以及

在形成所述保护膜之后，去除所述干蚀刻残留物。

17.如权利要求15中所述的方法，其中在所述第一层和所述第二层上形成所述源极和所述漏极。