[发明专利]有机电致发光设备的阵列基板及其制造方法

摘要

一种有机电致发光设备的阵列基板及其制造方法，所述方法包括在基板上的形成有薄膜晶体管的元件区域形成多晶硅半导体层，在存储区域形成多晶硅半导体图案；形成栅绝缘层；形成与半导体层的中心部分对应的多层栅极和与半导体图案对应的第一存储电极；执行掺杂处理，使半导体层的没有被栅极覆盖的部分成为欧姆接触层，使半导体图案成为第二存储电极；形成露出欧姆接触层的层间绝缘膜；形成源极和漏极，以及形成与第一存储电极对应的第三存储电极；形成露出漏极的钝化层；形成与漏极接触的第一电极和与第三存储电极对应的第四存储电极；沿着像素区域的边界形成堤，选择性地沿着像素区域的边界形成衬垫料。

主权项

一种制造有机电致发光设备的阵列基板的方法，所述方法包括：在基板上形成多晶硅半导体层和多晶硅半导体图案，所述多晶硅半导体层位于形成有薄膜晶体管的元件区域中，所述多晶硅半导体图案位于存储区域中，其中所述元件区域和所述存储区域位于彼此交叉的栅线和数据线所限定的像素区域内；在所述半导体层和所述半导体图案上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成多层栅极和第一存储电极，所述多层栅极与所述半导体层的中心部分对应，所述第一存储电极与所述半导体图案对应；执行掺杂处理，使所述半导体层的没有被栅极覆盖的部分成为欧姆接触层，使所述半导体图案成为第二存储电极；形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜位于栅极和第一存储电极上并且露出所述欧姆接触层；在所述层间绝缘膜上形成源极、漏极以及第三存储电极，所述源极和漏极彼此隔开且均与欧姆接触层接触，所述第三存储电极与第一存储电极对应；形成钝化层，所述钝化层位于源极、漏极和第三存储电极上并且露出所述漏极；在所述钝化层上形成第一电极和第四存储电极，所述第一电极与所述漏极接触，所述第四存储电极与所述第三存储电极对应；以及形成堤和衬垫料，所述堤沿着所述像素区域的边界形成，所述衬垫料选择性地沿着所述像素区域的边界形成，其中所述衬垫料的高度高于所述堤的高度。