[发明专利]有机电致发光设备的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种制造有机电致发光设备的阵列基板的方法，所述方法包括：

在基板上形成多晶硅半导体层和多晶硅半导体图案，所述多晶硅半导体层位于形成有薄膜晶体管的元件区域中，所述多晶硅半导体图案位于存储区域中，其中所述元件区域和所述存储区域位于彼此交叉的栅线和数据线所限定的像素区域内；

在所述半导体层和所述半导体图案上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成多层栅极和第一存储电极，所述多层栅极与所述半导体层的中心部分对应，所述第一存储电极与所述半导体图案对应；

执行掺杂处理，使所述半导体层的没有被栅极覆盖的部分成为欧姆接触层，使所述半导体图案成为第二存储电极；

形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜位于栅极和第一存储电极上并且露出所述欧姆接触层；

在所述层间绝缘膜上形成源极、漏极以及第三存储电极，所述源极和漏极彼此隔开且均与欧姆接触层接触，所述第三存储电极与第一存储电极对应；

形成钝化层，所述钝化层位于源极、漏极和第三存储电极上并且露出所述漏极；

在所述钝化层上形成第一电极和第四存储电极，所述第一电极与所述漏极接触，所述第四存储电极与所述第三存储电极对应；以及

形成堤和衬垫料，所述堤沿着所述像素区域的边界形成，所述衬垫料选择性地沿着所述像素区域的边界形成，其中所述衬垫料的高度高于所述堤的高度。

2.权利要求1所述的方法，其中形成所述半导体层和所述半导体图案包括：

在所述基板上形成非晶硅层；

使所述非晶硅层结晶成多晶硅层；以及

对所述多晶硅层构图。

3.权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极和所述第一存储电极包括：

在所述栅绝缘层上形成透明导电材料层和金属层；

在所述金属层上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有第一厚度且和存储区域对应，所述第二光刻胶图案具有第二厚度且和元件区域对应，其中所述第二厚度大于所述第一厚度；

利用第一和第二光刻胶图案除去金属层和透明导电材料层，从而形成顺序置于存储区域中的第一存储电极和虚拟金属图案，和形成位于元件区域中的栅极，所述栅极包括透明导电材料的下层和金属的上层；

执行灰化处理，以移除第一光刻胶图案和露出虚拟金属图案；

移除虚拟金属图案，以露出第一存储电极；以及

移除第二光刻胶图案。

4.权利要求1所述的方法，其中所述漏极和所述第三存储电极彼此连接。

5.权利要求1所述的方法，其中所述第一电极和所述第四存储电极彼此连接。

6.权利要求1所述的方法，其中所述钝化层的表面基本平坦。

7.权利要求1所述的方法，其中形成所述堤和所述衬垫料包括：

在所述第一电极上沉积光敏有机绝缘材料，以形成有机绝缘层；

利用包括透射部、阻挡部和半透射部的光掩模曝光所述有机绝缘层；以及

使曝光后的有机绝缘层显影，以形成堤和衬垫料。

8.权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极包括在所述栅绝缘层上沿着一方向形成栅线，其中形成所述源极和漏极包括在所述层间绝缘层上形成和栅线交叉的数据线、以及形成和数据线隔开并且和数据线平行的电源线。

9.权利要求1所述的方法，还包括在形成半导体层和半导体图案之前在所述基板上形成缓冲层。

10.权利要求1所述的方法，其中形成所述第一电极包括：

在所述钝化层上沉积具有高反射效率的金属，以形成下金属层；在所述下金属层上沉积透明导电材料，以形成上导电层；以及对所述上导电层和所述下金属层连续构图，以形成具有双层结构的第一电极；或者

在所述钝化层上形成透明导电材料层和对所述透明导电材料层构图，以形成具有单层结构的第一电极。