[发明专利]有机电致发光设备的阵列基板及其制造方法

说明书

本发明要求2010年11月2日在韩国提交的韩国专利申请10-2010-0107956的优先权，在此通过引用的方式包含该专利申请的全部内容。

技术领域

本发明涉及有机电致发光设备的阵列基板，尤其涉及有机电致发光设备的阵列基板及其制造方法。

背景技术

直到最近，显示设备一般采用阴极射线管(CRT)。目前，正在进行许多努力和研究，以开发作为CRT替代品的各种类型的平板显示器，例如液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、场致发射显示器、和有机电致发光设备(OELD)。在这些平板显示器中，OELD具有很多优点，例如高对比度、低电源、纤薄外形、宽视角、重量轻、低温稳定性好、制造简单、以及容易设计和制造驱动电路。

OELD包括阵列基板，该阵列基板包括控制像素区域的打开/关闭操作的薄膜晶体管。

阵列基板的薄膜晶体管包括由具有高迁移率特性的多晶硅制成的半导体层。

由约9个或10个掩模工序制造所述包括多晶硅薄膜晶体管的阵列基板。

换言之，在形成有机发光层之前，对阵列基板执行9个掩模工序，这9个掩模工序是：形成半导体层；形成第一存储电极；形成栅极；形成包含半导体接触孔的层间绝缘膜；形成源极和漏极；形成第一和第二钝化层；形成阳极；形成堤(bank)；和形成衬垫料。

掩模工序指的是光刻工艺，光刻工艺包含很多步骤：在基板上形成将要被构图的材料层，在材料层上形成光刻胶层，利用包含透射部和阻挡部的掩模给光刻胶层曝光，使曝光的光刻胶层显影以形成光刻胶图案，利用光刻胶图案蚀刻材料层，剥离光刻胶图案等等。

因此，一个掩模工序需要用于上述各个步骤的多种设备、材料和时间。

因此，为了降低生产成本和提高生产效率，正在努力减少阵列基板的掩模工序。

此外，为了图像显示的稳定性，阵列基板被设计为包含大容量的存储电容。为了增加每单位面积的存储容量，采用了重叠的配置。

但是，由于显示领域朝高分辨率发展的最新趋势，像素区域的面积减小。因此，即使通过双重重叠实现存储电容，对于稳定的图像显示来说该存储容量也是不够的。

为了确保存储容量而增加的存储电容面积导致了孔径比的降低。

发明内容

因此，本发明涉及一种有机电致发光设备的阵列基板及其制造方法，其基本克服了现有技术的局限和缺点导致的一个或者多个问题。

本发明的优点是提供一种能增加单位面积的存储容量且减少掩模工序的有机电致发光设备的阵列基板及其制造方法。

本发明的其它特征和优点将在随后的描述中进行说明，一部分特征和优点会从描述的内容明显看出，或者在实施本发明时得知。本发明的这些和其它优点由说明书、权利要求和附图特别指出的结构实现和获得。

为了实现这些和其它优点，根据本发明的目的，如本文具体和概括说明的，一种制造有机电致发光设备的阵列基板的方法，包括：在基板上形成多晶硅半导体层和多晶硅半导体图案，所述多晶硅半导体层位于形成有薄膜晶体管的元件区域中，所述多晶硅半导体图案位于存储区域中，其中所述元件区域和所述存储区域位于彼此交叉的栅线和数据线所限定的像素区域内；在所述半导体层和所述半导体图案上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成多层栅极和第一存储电极，所述多层栅极与所述半导体层的中心部分对应，所述第一存储电极与所述半导体图案对应；执行掺杂处理，使所述半导体层的没有被栅极覆盖的部分成为欧姆接触层，使所述半导体图案成为第二存储电极；形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜位于栅极和第一存储电极上并且露出所述欧姆接触层；在所述层间绝缘膜上形成源极、漏极以及第三存储电极，所述源极和漏极彼此隔开且均与欧姆接触层接触，所述第三存储电极与第一存储电极对应；形成钝化层，所述钝化层位于源极、漏极和第三存储电极上并且露出所述漏极；在所述钝化层上形成第一电极和第四存储电极，所述第一电极与所述漏极接触，所述第四存储电极与所述第三存储电极对应；以及形成堤和衬垫料，所述堤沿着所述像素区域的边界形成，所述衬垫料选择性地沿着所述像素区域的边界形成，其中所述衬垫料的高度高于所述堤的高度。