[发明专利]一种进气结构有效
| 申请号： | 201110345338.7 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102420120A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 席峰;胡冬冬;刘训春;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。所述进气结构，包括进气管、匀气筒和匀气盘，所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部，所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内，所述匀气盘设置在所述匀气筒下方。本发明的进气结构形成两个空间，保证两个空间的气流压力梯度在一定范围，有利于反应腔室内气流密度均匀一致；等离子体启辉条件下，芯片表面的反应物可及时随气流排出，确保刻蚀工艺的正常进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 | ||
【主权项】：
一种进气结构，其特征在于：包括进气管、匀气筒和匀气盘，所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部，所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内，所述匀气盘设置在所述匀气筒下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
