[发明专利]一种SOI硅片的制备方法

摘要

本发明提供了一种制备SOI硅片的方法，在制备SOI硅片的工艺中，采用氢氟酸等溶液对键合硅片的表面进行预处理，适当增加键合硅片的表面粗糙度，使得在键合过程中，在氧埋层与衬底之间形成更多的界面悬挂键，从而可以更有效的俘获电子，使得PMOS结构的浮体效应存储器单元的数据保持性能得到提高。

主权项

一种制备SOI硅片的方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，提供第一硅片，并对第一硅片进行氢离子注入，在所述第一硅片中形成富氢埋层；提供第二硅片，并在第二硅片的表面形成二氧化硅薄膜；步骤2，对第一硅片表面进行预处理形成粗糙表面；步骤3，将第一硅片的粗糙表面和第二硅片的二氧硅薄膜接触，将第一硅片和第二硅片进行键合；步骤4，对键合后的第一硅片和第二硅片进行加热，第一硅片从富氢埋层处剥离；步骤5，退火，将键合第二硅片的部分进行化学化学机械抛光去除剩余富氢埋层，得到SOI硅片。