[发明专利]一种SOI硅片的制备方法

权利要求书

1.一种制备SOI硅片的方法，其特征在于，步骤包括：

步骤1，提供第一硅片，并对第一硅片进行氢离子注入，在所述第一硅片中形成富氢埋层；提供第二硅片，并在第二硅片的表面形成二氧化硅薄膜；

步骤2，对第一硅片表面进行预处理形成粗糙表面；

步骤3，将第一硅片的粗糙表面和第二硅片的二氧硅薄膜接触，将第一硅片和第二硅片进行键合；

步骤4，对键合后的第一硅片和第二硅片进行加热，第一硅片从富氢埋层处剥离；

步骤5，退火，将键合第二硅片的部分进行化学化学机械抛光去除剩余富氢埋层，得到SOI硅片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中所述预处理为使用含氢氟酸的溶液进行处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预处理时间控制在30s。

4.一种如权利要求1所述方法制备的SOI硅片，其特征在于，包括底层硅、底层硅上覆盖的二氧化硅埋层以及二氧化硅埋层上覆盖的硅衬底，所述硅衬底与二氧化硅埋层之间的接触面为粗糙面。

5.一种如权利要求4所述的SOI硅片的应用，其特征在于，所述SOI硅片用于制备65nm浮体动态随机存储器。

6.一种应用如权利要求4所述SOI硅片制备的浮体动态随机存储器，其特征在于，包括底层硅、底层硅上覆盖的二氧化硅埋层以及二氧化硅埋层上覆盖的硅衬底，所述硅衬底与二氧化硅埋层之间的接触面为粗糙面；

衬底上表面有栅极，栅极两侧的衬底内有源区和漏区；以所述栅极为中心，在源区、漏区的外侧为浅沟槽。

7.根据权利要求6所述的浮体动态随机存储器，其特征在于，所述浅沟槽底部接触二氧化硅埋层。