[发明专利]一种MEMS器件的圆片级真空封装方法无效

专利信息
申请号: 201110338989.3 申请日: 2011-11-01
公开(公告)号: CN102351141A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 于晓梅;周晓雄;袁明泉;杨建成 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: B81C3/00 分类号: B81C3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100871 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的是提供一种MEMS器件的圆片级真空封装的方法。该圆片级真空封装的器件主要包括MEMS器件、支撑器件的底座基片、带过孔的中间垫层基片、盖帽基片、焊料和吸气剂。封装基本步骤包括:在底座基片上制备出MEMS器件;在底座基片的器件面、中间垫层基片的双面和盖帽基片的一面淀积复合金属层,形成键合区域图形;在其任一种基片上溅射吸气合金作为吸气剂;加工中间垫层基片形成过孔;把三种基片按顺序对准组合,并在基片之间夹入焊料;放入键合炉,焊料熔融后将这三种基片粘合在一起,形成密封腔;划片形成单个器件。该圆片级封装方法能提高封装内外部环境的密封性能和封装器件的可靠性、成品率高,且工艺简单、成本低,适用于工业大批量生产。
搜索关键词: 一种 mems 器件 圆片级 真空 封装 方法
【主权项】:
一种圆片级真空封装方法,该圆片级真空封装的器件主要包括MEMS器件、支撑MEMS器件的底座基片、带过孔的中间垫层基片、盖板基片、焊料和吸气剂。封装基本步骤包括:在底座基片上制备出需要的MEMS器件;在底座基片的器件面、中间垫层基片的两个面和盖帽基片的一面淀积一层复合金属层,并形成键合区域图形,该复合金属层作为焊接中间层,在实现粘附的同时还作为气密性阻绝层;在盖帽或中间垫层或底座基片上溅射吸气合金作为吸气剂;加工中间垫层基片形成过孔:把底座基片、中间垫层基片、盖帽基片按顺序对准组合在一起,并在底座基片和中间垫层基片、中间垫层基片和盖帽基片之间夹入一定厚度的焊料;把组合器件放入具有一定真空度的键合炉内,焊料在一定温度和压力下熔融,使底座基片、中间垫层基片、盖帽基片粘合在一起,形成器件密封腔;划片形成单个器件。该圆片级封装方法能提高封装内外部环境的密封性能,封装器件的可靠性和成品率高,且工艺简单、成本低,适用于工业大批量生产。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110338989.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top