[发明专利]TFT阵列基板及液晶面板有效
申请号: | 201110331872.2 | 申请日: | 2011-10-27 |
公开(公告)号: | CN102368499A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 覃事建 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种TFT阵列基板,其包括多条数据线及多条栅极线,该多条数据线与该多条栅极线相互垂直设置并形成多个像素区域,该像素区域包括像素电极、薄膜晶体管及存储电容,所述像素电极设置在所述像素区域内,所述薄膜晶体管设置在数据线与栅极线的交界重叠处,存储电容设于所述栅极线上。本发明还提供了一种包括上述TFT阵列基板的液晶面板。本发明通过将薄膜晶体管设置于数据线与栅极线的交界重叠处,无须减少栅极线及数据线的布线而有效地提高了液晶显示器的开口率。而且,将存储电容设置在栅极线上,可以进一步提高开口率。 | ||
搜索关键词: | tft 阵列 液晶面板 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管TFT阵列基板,其包括多条数据线及多条栅极线,所述多条数据线与所述多条栅极线相互垂直设置并形成多个像素区域,所述像素区域包括像素电极、薄膜晶体管及存储电容,所述像素电极设置在所述像素区域内,其特征在于,所述薄膜晶体管设置在所述数据线与所述栅极线的交界重叠处,所述存储电容设于所述栅极线上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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