[发明专利]TFT阵列基板及液晶面板有效
| 申请号： | 201110331872.2 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102368499A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 覃事建 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 阵列 液晶面板 | ||
1.一种薄膜晶体管TFT阵列基板，其包括多条数据线及多条栅极线，所述多条数据线与所述多条栅极线相互垂直设置并形成多个像素区域，所述像素区域包括像素电极、薄膜晶体管及存储电容，所述像素电极设置在所述像素区域内，其特征在于，所述薄膜晶体管设置在所述数据线与所述栅极线的交界重叠处，所述存储电容设于所述栅极线上。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素区域还包括一用于补偿所述数据线与所述栅极线交叠处产生的寄生电容的补偿电容，所述补偿电容设置于所述栅极线上。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述补偿电容与所述存储电容位于所述栅极线上且设于相邻的两薄膜晶体管之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括一栅电极、一源电极及一漏电极，所述栅电极连接所述栅极线，所述源电极连接所述数据线，所述漏电极连接所述像素电极，所述源电极与所述漏电极之间形成导电沟道，且所述导电沟道的长边平行于所述数据线方向。
5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极线上设置有所述薄膜晶体管的部分的宽度比所述栅极线上其他部分的宽度宽。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括一栅电极、一源电极及一漏电极，所述栅电极连接所述栅极线，所述源电极连接所述数据线，所述漏电极连接所述像素电极，所述源电极与所述漏电极之间形成第一导电沟道及第二导电沟道，且所述第一导电沟道平行于所述数据线方向，所述第二导电沟道平行于所述栅极线方向，所述第一导电沟道与所述第二导电沟道相互连通且呈一“L”字形。
7.一种液晶面板，其特征在于，包括如权利要求1至6中任一项所述的TFT阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
