[发明专利]TFT阵列基板及液晶面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种液晶面板及其TFT阵列基板。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶显示器以其体积小、功耗低、无辐射等特点而受到人们的广泛青睐，从而使其在当前的平板显示器的市场中占据了主导地位。一般TFT液晶显示器包括一TFT阵列基板、一彩色滤光膜阵列基板及一置于TFT阵列基板及彩色滤光膜阵列基板之间的液晶层。

TFT阵列基板是对液晶层进行驱动的电路基板，包括多条栅极线和数据线，相互垂直的多条栅极线和多条数据线形成了多个像素区域，且每个像素区域内设置有薄膜晶体管、像素电极及存储电容等。薄膜晶体管包括一栅电极连接至栅极线，源电极连接至数据线，漏电极连接至像素电极。当栅极线被驱动时，薄膜晶体管处于导通状态，对应的数据线送入灰阶电压信号并将其加载至像素电极，从而使得像素电极产生相应的电场，液晶层中的液晶分子则在电场的作用下发生取向变化，因此可以实现不同的图像显示。

上述TFT阵列结构中，开口率问题一直困扰着人们。开口率是像素可透光部分的面积与像素总面积(包括不透光部分的面积)的比值。一个像素元中，不透光的部分主要为薄膜晶体管、栅极线、数据线、存储电容及黑矩阵材料等。为了提高开口率，现有技术中有减少栅极线及数据线的布线，虽然如此可以一定程度地提高开口率，但是相应地也带来了栅极线及数据线电阻增大、RC延迟增大等负面作用。

发明内容

本发明的主要目的为提供一种TFT阵列基板，在不需要减少栅极线及数据线的布线的情况下提高液晶显示器的开口率。

本发明提供了一种TFT阵列基板，其包括多条数据线及多条栅极线，多条数据线与多条栅极线相互垂直设置并形成多个像素区域，所述像素区域包括像素电极、薄膜晶体管及存储电容，所述像素电极设置在所述像素区域内，所述薄膜晶体管设置在所述数据线与所述栅极线的交界重叠处，所述存储电容设于所述栅极线上。

优选地，所述像素区域还包括一用于补偿所述数据线与所述栅极线交叠处产生的寄生电容的补偿电容，所述补偿电容设置于所述栅极线上。

优选地，所述补偿电容与所述存储电容位于所述栅极线上且设于相邻的两薄膜晶体管之间。

优选地，所述薄膜晶体管包括一栅电极、一源电极及一漏电极，所述栅电极连接所述栅极线，所述源电极连接所述数据线，所述漏电极连接所述像素电极，所述源电极与所述漏电极之间形成导电沟道，且所述导电沟道的长边平行于所述数据线方向。

优选地，所述栅极线上设置有薄膜晶体管的部分的宽度比所述栅极线上其他部分的宽度宽。

优选地，所述薄膜晶体管包括一栅电极、一源电极及一漏电极，所述栅电极连接所述栅极线，所述源电极连接所述数据线，所述漏电极连接所述像素电极，所述源电极与漏电极之间形成第一导电沟道及第二导电沟道，且第一导电沟道的长边平行于数据线方向，第二导电沟道的长边平行于栅极线方向，所述第一导电沟道与所述第二导电沟道相互连通且呈一“L”字形。

本发明还提供了一种液晶面板，包括TFT阵列基板，该阵列基板包括多条数据线及多条栅极线，多条数据线与多条栅极线相互垂直设置并形成多个像素区域，所述像素区域包括像素电极、薄膜晶体管及存储电容，所述像素电极设置在所述像素区域内，所述薄膜晶体管设置在所述数据线与所述栅极线的交界重叠处，所述存储电容设于所述栅极线上。

本发明TFT阵列基板通过将薄膜晶体管设置于数据线与栅极线的交界重叠处，无须减少栅极线及数据线的布线而有效地提高了开口率。另外，将存储电容设置在栅极线上，可以进一步提高开口率。

附图说明

图1为本发明TFT阵列基板第一实施例的结构示意图；

图2为图1中薄膜晶体管的放大结构示意图；

图3为本发明TFT阵列基板第二实施例的结构示意图；

图4为本发明TFT阵列基板第三实施例的结构示意图；

图5为图4中薄膜晶体管的放大结构示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。