[发明专利]柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法无效
申请号: | 201110331854.4 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN103077998A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 吴敏;曹章轶;徐传明;钱峰伟 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 郑丹力 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及光伏太阳电池,公开了一种柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法。包括步骤一、制备带有Mo背电极的衬底;二、配制碱金属处理溶液;三、碱金属掺杂。本发明解决了现有技术的碱金属掺杂方式均是采用高真空沉积的方式,需要很大的设备投资,生产成本高,均匀性控制难度大等问题,取得了工艺简便、生产成本低、光电转换效率高、无污染等有益效果。 | ||
搜索关键词: | 柔性 衬底 铜铟镓硒 太阳电池 真空 碱金属 掺杂 方法 | ||
【主权项】:
一种柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:步骤一、制备带有Mo背电极的衬底;采用直流磁控溅射方法,在20~100μm厚度的金属箔或聚酰亚胺柔性衬底上溅射双层Mo薄膜,分别控制Ar气为1.0Pa或0.25Pa,Mo层总厚度为0.7~1.0μm;步骤二、配制碱金属处理溶液;在去离子水中加入有机溶液甲醇和乙二醇,按照1∶2∶1的比例配制成混合溶液,再在混合溶液中加入NaF化合物,通过搅拌,使其充分溶解,配制成浓度为0.05wt.%~1wt.%的化学处理溶液;步骤三、碱金属掺杂;将步骤一制备的带有Mo背电极的衬底样品浸入步骤二配制的处理溶液中,经过30秒~10分钟后取出样品,待样品表面的水分去除后,在Mo膜上沉积了一层Na化合物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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