[发明专利]柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法无效
申请号: | 201110331854.4 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN103077998A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 吴敏;曹章轶;徐传明;钱峰伟 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 郑丹力 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 衬底 铜铟镓硒 太阳电池 真空 碱金属 掺杂 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光伏太阳电池的制造方法,尤其是柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法。
背景技术
以铜铟镓硒薄膜作为吸收层的薄膜太阳电池具有较高的光电转换效率和良好的抗辐射性能,成为光伏电池领域的研究热点之一。柔性衬底铜铟镓硒(CIGS)太阳电池因具有重量轻、高重量比功率、适于大规模卷对卷生产的优势,在空间和地面都有着非常广泛的应用前景。近年来在材料、工艺及器件性能的实验与理论等方面的研究取得了相当快的进展,特别是吸收层工艺、设备改良等关键技术的突破,以及转换效率指标的不断创新。然而因为材料特性、制备工艺的差异,柔性衬底CIGS太阳电池的转换效率通常低于玻璃衬底电池。为了提高柔性衬底CIGS太阳电池的转换效率,需要对CIGS吸收层进行改性处理。在CIGS吸收层中掺入碱金属(如钠元素)是一种十分有效的方法。通过精确控制碱金属元素的含量,可以提高电池的开路电压和填充因子,使得电池的转换效率增加30%-50%。经过研究发现,在CIGS薄膜中掺入碱金属钠(Na)元素,可以改变薄膜的载流子浓度、结构取向、颗粒大小等性能。Na元素可以有效地减少CIGS薄膜中InCu替位缺陷和Se空位的数量,显著增加空穴的浓度,降低薄膜的电阻。
迄今为止,运用于柔性CIGS电池的Na掺杂工艺主要包括:在柔性衬底上溅射碱-硅酸盐玻璃薄膜、在柔性衬底上溅射掺Na的Mo背电极、在Mo背电极上蒸发Na化合物薄膜、在CIGS薄膜上蒸发Na化合物薄膜等,其中一般采用NaF、Na2S和Na2Se作为Na化合物薄膜。然而目前所报道的碱金属掺杂方式均是采用高真空沉积的方式,随着电池面积的增大,对制备工艺和真空设备等的要求极为苛刻,需要很大的设备投资,生产成本高,均匀性控制的难度也非常大。
目前没有发现同本发明类似技术的说明或报道,也尚未收集到国内外类似的资料。
发明内容
为了解决现有技术的碱金属掺杂方式均是采用高真空沉积的方式,随着电池面积的增大,对制备工艺和真空设备等的要求极为苛刻、设备投资大、生产成本高、均匀性控制难度大等问题,本发明的目的在于提供一种柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法。利用本发明,可以在非真空条件下,实现柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的碱金属掺杂。
为了达到上述发明目的,本发明为解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法,包括如下步骤:
步骤一、制备带有Mo背电极的衬底;
采用直流磁控溅射方法,在20~100μm厚度的金属箔或聚酰亚胺柔性衬底上溅射双层Mo薄膜,分别控制Ar气为1.0Pa或0.25Pa,Mo层总厚度为0.7~1.0μm;
步骤二、配制碱金属处理溶液;
在去离子水中加入有机溶液甲醇和乙二醇,按照1∶2∶1的比例配制成混合溶液,再在混合溶液中加入NaF化合物,通过搅拌,使其充分溶解,配制成浓度为0.05wt.%~1wt.%的化学处理溶液;
步骤三、碱金属掺杂;
将步骤一制备的带有Mo背电极的衬底样品浸入步骤二配制的处理溶液中,经过30秒~10分钟后取出样品,待样品表面的水分去除后,在Mo膜上沉积了一层Na化合物薄膜。
上述步骤二可以是浓度为1wt.%~5wt.%的化学处理溶液。还可以是:处理溶液为去离子水和丙酮、乙醇按照1∶1∶1配制的混合液,在混合溶液中加入NaF化合物,配制成浓度为0.05wt.%~5wt.%的化学处理溶液。还可以是:在混合溶液中加入Na2S化合物,通过搅拌,使其充分溶解,配制成浓度为0.05wt.%~5wt.%的化学处理溶液。
本发明柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法,由于采取上述的技术方案,在非真空条件下通过化学方法,在柔性衬底上沉积钠化合物薄膜,缩短了制备时间,简化了工艺步骤,成功实现CIGS薄膜的碱金属掺杂,有效的提高柔性铜铟镓硒太阳电池的转换效率。在CIGS薄膜吸收层上成功沉积碱金属薄膜的基础上,避免了复杂繁琐的高真空工艺,简化了制备流程,降低了生产成本。因此,本发明取得了工艺简便、生产成本低、光电转换效率高、无污染等有益效果。由于本发明避免了复杂繁琐的高真空工艺,非常适合未来柔性铜铟镓硒太阳电池的大规模生产。
附图说明
图1是本发明柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的