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[发明专利]一种选区激光熔化打印钛合金的方法-CN202310886386.X在审
发明人： 曹章轶;樊恩想;吴欢欢;刘小欣;赵立晓 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种选区激光熔化打印钛合金的方法。其包括下述步骤：采用选区激光熔化打印机，将TC4钛合金粉末进行打印即可；粉末包括粒径0‑20μm细粉和75‑100μm粗粉；细粉质量占粗粉质量的10‑20％。本发明中，细粉和粗粉以特定配比混合，粗粉中的小空隙被细粉填充，粉末的堆积密度较高，流动性较好，基板上可以均匀铺展粉末，不仅扩大了电极感应熔炼雾化制备的钛合金粉末的使用范围，而且扩大了选区激光熔化用金属粉末粒度的使用范围，降低选区激光熔化用金属粉末的材料成本。本发明中在适合的工艺参数下，形成连续的熔融池，经SLM打印等工艺参数，可成形表面光滑、结构致密、力学性能良好的产品。
一种选区激光熔化打印钛合金方法

[实用新型]一种金属3D打印磨抛工装-CN202320762971.4有效
发明人：吴欢欢;樊恩想;刘小欣;曹章轶 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属3D打印磨抛工装，包括：支架、夹具和基板；夹具的一端与基板相连接，夹具的另一端设置有方形柱，方形柱上设置有贯穿的第一滑轨孔和第二滑轨孔，第一滑轨孔和第二滑轨孔的贯穿方向相垂直，支架包括悬臂杆，悬臂杆的一端与方形柱通过紧固件实现可调节连接，基板背离夹具的一面设置有待磨抛的样品。该金属3D打印磨抛工装可以一次性磨抛所有的样品，提高效率，节省大量时间，避免手拿样品进行磨抛，可实现磨抛试样在一个平面上，不会出现磨出多个平面，可保证基板不会飞出磨抛盘，保证了试验人员安全。
一种金属打印工装

[实用新型]一种无支撑一体化3D打印环孔喷嘴-CN202320756765.2有效
发明人：吴欢欢;樊恩想;刘小欣;曹章轶 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无支撑一体化3D打印环孔喷嘴，包括：底部法兰盘和气腔壳，其中，底部法兰盘上开设有导液管孔；气腔壳与底部法兰盘连接，气腔壳包括：内圈壁和外圈壁；导液孔贯穿底部法兰盘，内圈壁的一端环绕导液孔设置，导液孔、内圈壁和外圈壁均同轴设置；外圈壁上开设有进气孔，进气孔连通气腔和气腔壳外部的空间；内圈壁上开设有出气孔，出气孔连通气腔和气腔壳内部的空间。本实用新型更改设计，把环孔喷嘴和法兰盘进行一体化设计，使一体化的设计的喷嘴内部结构不需要添加支撑，避免了内部支撑去除难的问题，采用3D打印技术，能够直接制造出机加工无法加工出来的结构。
一种支撑一体化打印环孔喷嘴

[发明专利]一种粉末自动筛分装置-CN202111573987.2在审
发明人：刘超;刘小欣;樊恩想;吴欢欢;曹章轶;廖文俊 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B07B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉末自动筛分装置，包括：加粉部，加粉部用于通粉的加入；第一筛分装置，第一筛分装置与加粉部连接，第一筛分装置用于将通粉筛分为粗粉和细粉；粗粉罐，粗粉罐与第一筛分装置连接；第二筛分装置，第二筛分装置与第一筛分装置连接，第二筛分装置用于将细粉与气体相分离；细粉罐，细粉罐与第二筛分装置连接；粉末烘干装置；第一送粉装置，第一送粉装置与粗粉罐连接，粉末烘干装置与第一送粉装置连接；第二送粉装置，第二送粉装置的与粉末烘干装置连接，第二送粉装置与加粉部连接。通过对本发明的应用，将筛分和烘干形成一个可循环的整体，提高了通粉筛分的收得率，尽量避免了通粉受潮受污染，还提高了通粉的筛分效率和筛分质量。
一种粉末自动筛分装置

[发明专利]多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法-CN201910306580.X有效
发明人： 曹章轶;吴敏;周大勇;陈臻纯;马宁华;孙利杰;范晓望;王矽;徐建明;唐道远;蒋帅;焦小雨 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L31/0463 文献下载
摘要：一种多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法，使用激光刻蚀电池结构材料，采用连续两次刻蚀工艺，通过重复频率、焦距、加工速度等工艺参数的调整，可以精确控制每个刻槽的宽度和深度；通过对点胶工艺时点胶机移动速度和出胶电压、出胶频率的控制，使得聚酰亚胺胶填满第一刻槽，且不会大量溢出第一刻槽流入第二刻槽内；光刻工艺确定电极栅线位置时，在光学显微镜下可以使光刻板上显示的电极栅线图形与外延片上的刻槽精确对位。该方法避免了传统砷化镓组件采用多个单体电池通过金属互连片进行外部互联的方式，有效提高了组件布片率和加工效率，特别适合应用于高压太阳电池阵、高压激光电池等空间飞行器电源、地对空或空对空无线传能领域。
多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件制备方法

[发明专利]一种柔性无机电致变发射率材料及其制备方法与应用-CN201910524119.1有效
发明人：唐道远;徐建明;张冬冬;吴敏;马宁华;曹章轶;蒋帅 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性无机电致变发射率材料及其制备方法与应用，属于材料工程技术领域。所述柔性无机电致变发射率材料，包括自下而上依次设置的柔性衬底层、金属层、下电极层、氧化镍离子存储层、氧化钽电解质层氧化钨电致变发射率层和上电极层，其中，所述氧化镍离子存储层、氧化钽电解质层氧化钨电致变发射率层均注有氢离子，所述柔性衬底层为聚酰亚胺、聚乙烯或聚酯层，所述金属层为铬、铂或钼层，所述上电极层设有金属光栅结构。该材料可以弯曲，因此可以灵活的覆盖在航天器不规则的外表面，使用范围广。
一种柔性机电发射材料及其制备方法应用

[发明专利]一种气体扩散层及其制备方法、燃料电池阳极、燃料电池-CN202110259762.3在审
发明人： 曹章轶;杨敏;李晓琳;朱星烨;王兵;张亚伟;李恒;季文姣 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明涉及燃料电池技术领域，公开了一种气体扩散层及其制备方法、燃料电池阳极、燃料电池，该气体扩散层包括基底以及形成于所述基底上的微孔层，所述微孔层包括导电材料，所述导电材料包括多壁碳纳米管、Ti4O7粉末、石墨烯纳米片中的至少一种。该气体扩散层应用于燃料电池阳极，可以有效缓解现有技术中阳极侧发生氢气供给不足时造成的微孔层碳腐蚀，提高燃料电池阳极侧的抗反极能力。
一种气体扩散及其制备方法燃料电池阳极

[发明专利]一种全柔性折叠式太阳电池阵及其制备方法-CN201510820977.2在审
发明人：张冬冬;吴敏;曹章轶 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H02S30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种全柔性折叠式太阳电池阵及其制备方法，该方法包含：步骤1，将柔性基板划分为等比例区域，并在横向和纵向上分别标注记号；骤2，将柔性电池暴露出正极和负极；步骤3，将柔性电池按相邻对称的方式分布在柔性基板上；步骤4，将柔性电池固定在柔性基板上；步骤5，使用导线将相邻电池连接实现串联或并联；步骤6，将暴露的电池正极和负极喷涂上透明绝缘膜防止短路；步骤7，将制得的柔性电池阵折叠收拢。本发明提供的全柔性折叠式太阳电池阵的制备方法，可以实现太阳能电池阵全柔性结构，既保证电池阵的高效和轻质，又可以将面积巨大的电池阵折叠收拢成很小体积，节省飞行器的宝贵空间和有效质量，实现装备更多的有效载荷。
一种柔性折叠式太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种在柔性衬底上印刷涂膜制备铜铟硒硫吸收层的方法-CN201510550361.8在审
发明人：吴敏;张冬冬;曹章轶 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光伏太阳电池技术领域，公开了一种在柔性衬底上采用非真空纳米晶印刷涂膜制备铜铟硒硫吸收层的方法；步骤包括：一、柔性衬底（金属箔或聚酰亚胺）上沉积背电极Mo；二、以十八烯试剂作为反应介质采用溶液前驱体反应的加热合成方法，制备铜铟硫纳米晶，通过控制升温速率、加热温度等条件，调整并控制铜铟元素比例；三、将制备的纳米晶材料干燥后溶解于有机试剂，形成纳米晶墨液，利用线棒印刷装置将纳米晶墨液印刷涂覆在带有Mo背电极的柔性衬底上，形成一层厚度均匀的纳米铜铟硫膜层；四、将薄膜样品放置于真空干燥箱中进行低温退火热处理，经过热处理后的薄膜样品放置于硒化设备中进行硒化反应，铜铟硒硫吸收层制备完成。
一种柔性衬底印刷制备铜铟硒硫吸收方法

[发明专利]柔性PI衬底CIGS薄膜电池激光刻蚀单体集成组件的方法-CN201310614564.X有效
发明人：张冬冬;吴敏;徐传明;曹章轶;张德涛;陈亮 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性PI衬底CIGS薄膜电池激光刻蚀单体集成组件的方法，该方法包含：步骤1，使用激光对电池由顶电极一直刻划到PI衬底的上表面，形成第一沟道；步骤2，对第一沟道涂覆填充绝缘胶；步骤3，使用激光对电池由顶电极一直刻划到背电极的上表面，形成第二沟道；步骤4，在第二沟道以及顶电极上且由第二沟道的顶部延伸并越过第一沟道的顶部涂覆银浆；步骤5，使用激光对电池由顶电极刻蚀到高阻层的上表面，形成第三沟道，完成CIGS薄膜电池的内连式互联。本发明在铜铟镓硒薄膜电池生长完后对电池进行内连，可以避免像传统的分离式刻划需要在沉积不同层的材料后分别刻划，提高电池内连的加工效率，并且材料成本低。
柔性 pi 衬底 cigs 薄膜电池激光刻蚀单体集成组件方法

[发明专利]一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量的化学处理方法-CN201310101351.7有效
发明人：张德涛;徐传明;曹章轶;吴敏;张冬冬 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量的化学处理方法，其包含：步骤1，将玻璃衬底上涂覆有Mo层和CIGS薄膜的样品放入酒精溶液中浸泡5~10min，取出后在30~50℃下热处理30~60s；步骤2，配制含去离子水、氨水和锌盐的化学处理液，其中，氨水浓度为3mol/L，锌盐浓度为0～1×10-2mol/L，将步骤1中采用热处理后的样品，放入上述化学处理液中，经过7-10min浸润后取出样品，用干燥氮气吹干样品表面残留溶液，完成CIGS薄膜材料表层质量的化学处理。本发明通过化学溶液浸润处理的方法，以减少表层的杂质，使得锌离子扩散进入表层并占据Cu空位，修复表面缺陷态，且可形成浅埋结，从而改善CIGS薄膜材料表层质量，工艺简单，材料成本低，适合铜铟镓硒薄膜太阳电池的规模化生产。
一种用于改善铜铟镓硒薄膜材料表层质量化学处理方法

[发明专利]柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法-CN201110331854.4无效
发明人：吴敏;曹章轶;徐传明;钱峰伟 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光伏太阳电池，公开了一种柔性衬底铜铟镓硒太阳电池的非真空碱金属掺杂方法。包括步骤一、制备带有Mo背电极的衬底；二、配制碱金属处理溶液；三、碱金属掺杂。本发明解决了现有技术的碱金属掺杂方式均是采用高真空沉积的方式，需要很大的设备投资，生产成本高，均匀性控制难度大等问题，取得了工艺简便、生产成本低、光电转换效率高、无污染等有益效果。
柔性衬底铜铟镓硒太阳电池真空碱金属掺杂方法

[发明专利]具有陷光结构的超薄铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法-CN200810204035.1有效
发明人：徐传明;曹章轶;马贤芳;王小顺 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有陷光结构的超薄铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法。包括：在衬底上依次沉积背电极Mo膜[11]、Ag膜[12]，透明导电ZnO:Al薄膜[13]、MoSe2薄膜[14]、吸收层[15]、Zn(S，O，OH)缓冲层[16]、透明窗口层SnO2:In[17]、电极Ni/Al复合薄膜[18]和减反射层MgF2薄膜[19]，吸收层厚度为0.3μm～1μm。在电池吸收层[15]薄膜内产生“V”型带隙梯度分布，从而实现超薄铜铟镓硒薄膜太阳电池的陷光结构制备。应用本发明，可减少吸收层薄化导致的光学与电学损失，提高了电池转化效率。本发明取得了工艺简单、材料成本低、无污染等有益效果。
具有结构超薄铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件的制备方法-CN200810204033.2无效
发明人： 曹章轶;徐传明;王小顺;马贤芳 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光伏电池制造方法，公开了一种玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件的制备方法；包括：一、在玻璃衬底[10]的两面沉积背电极[11]和[12]，对背电极激光刻划；二、在两面的背电极上沉积吸收层[13]和[14]；其中，迎光面吸收层[13]为宽带隙吸收层；背光面吸收层[14]为窄带隙吸收层；三、沉积缓冲层[15]和[16]；四、机械刻划；五、沉积透明电极层[17]和[18]；六、透明电极机械刻划；七、封装。本发明有效地提高了铜铟镓硒吸收层对光能的吸收，取得了结构简单、光电转换效率高、无污染和工艺简便等有益效果。
玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件制备方法

[发明专利]一种玻璃衬底上制备牢固碳膜的方法-CN200610118331.0无效
发明人：华缜;王红光;曹章轶 -专利权人：上海广电电子股份有限公司
申请日： 2006-11-14 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开一种玻璃衬底上制备牢固碳膜的方法，涉及薄膜成型技术领域；本发明以玻璃为衬底，先在玻璃上沉积一层铬、铂、钼、钽、钛、锡、铋、锑、铟，等金属，再在这些金属上沉积铁、钴、镍、钯，或直接在玻璃上沉积铬、铂、钼、钽、钛、锡、铋、锑、铟等与铁、钴、镍、钯的合金或其金属氧化物作为催化剂，然后用常规的化学气相沉积法生长碳膜。合金薄膜采用电子束共蒸发的沉积装置，可以任意控制合金薄膜的成分；生长碳膜时的衬底温度为400℃～600℃。本发明成功地解决了在玻璃衬底上生长碳膜的牢固度问题及低温条件下生长高质量碳膜的问题，并可以控制生长碳膜的密度。
一种玻璃衬底制备牢固方法

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