[发明专利]带空气间隙结构的半导体功率器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110327945.0 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103077958A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李伟峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带空气间隙结构的半导体功率器件，该半导体功率器件的电子漂移区内具有空气间隙结构。本发明还公开了上述半导体功率器件的制造方法。本发明通过在半导体功率器件宽深的电子漂移(扩散)区，制作空气间隙，减少了电子漂移区的通道面积，从而降低了器件在电力关断时的反向电流和关断时间，有效提高了半导体功率器件的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 空气 间隙 结构 半导体 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种带空气间隙结构的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件的电子漂移区内具有空气间隙结构。
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