[发明专利]带有集成二极管的自对准沟槽MOSFET有效
| 申请号： | 201110321517.7 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102544100A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 雷燮光;安荷·叭剌 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明带有集成二极管的自对准沟槽MOSFET利用自对准方式，可以制备带有集成二极管的晶体管器件。这种器件包括一个掺杂的半导体衬底，具有一个或多个电绝缘的栅极电极，形成在衬底中的沟槽中。一个或多个本体区形成在每个栅极沟槽附近的那部分衬底中。一个或多个源极区以自对准的方式，形成在每个栅极沟槽附近的本体区顶部。一个或多个厚绝缘物部分形成在栅极电极上方，栅极电极在衬底的顶面上，带有相邻的厚绝缘物部分之间的间距。金属形成在厚绝缘物部分上方的衬底上方。金属穿过厚绝缘物部分之间的间距，构成到衬底的自对准接头。集成二极管形成在自对准接头下方。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 集成 二极管 对准 沟槽 mosfet | ||
【主权项】：
一种自对准的晶体管器件，其特征在于，包括：一个掺杂的半导体衬底，具有一个或多个电绝缘的栅极电极形成在衬底中的栅极沟槽中；一个或多个本体区，形成在每个栅极沟槽附近衬底的顶部；一个或多个源极区，以自对准的方式，形成在每个栅极沟槽附近的本体区顶部；一个或多个厚绝缘物部分，形成在衬底顶面上的栅极电极上方，带有相邻的厚绝缘物部分之间的空间；一个或多个金属层，形成在衬底上方的厚绝缘物部分上方，其中穿过厚绝缘物部分之间的空间，所述的金属形成一个到衬底的自对准接头，其中一个集成的二极管形成在所述的自对准接头下方，其中所述的集成的二极管是一个快速回复二极管。
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