[发明专利]IGBT模块和电路有效
| 申请号： | 201110320319.9 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456678A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | H-P.费尔斯尔;F.J.尼德诺斯泰德;T.拉克;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/08;H01L29/06;H02M1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及IGBT模块和电路。提供了一种IGBT模块。所述IGBT模块具有：至少第一单独IGBT，具有关断所述IGBT模块期间的第一软化度；以及至少第二单独IGBT，并联连接至至少一个第一IGBT。所述至少一个第二单独IGBT具有关断所述IGBT模块期间的第二软化度，所述第二软化度与所述第一软化度不同。还提供了具有并联连接的两个单独IGBT的电路和电子功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 模块 电路 | ||
【主权项】：
一种IGBT模块，包括：第一IGBT，包括第一半导体衬底、集电极、栅电极、发射电极和在第一衬底中形成的集电极侧晶体管，所述集电极侧晶体管具有第一增益因子；以及第二IGBT，包括第二半导体衬底、与所述第一IGBT的集电极电连接的集电极、与所述第一IGBT的栅电极电连接的栅电极、与所述第一IGBT的发射电极电连接的发射电极以及在第二衬底中形成的集电极侧晶体管，所述第二IGBT的集电极侧晶体管具有与所述第一增益因子不同的第二增益因子。
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