[发明专利]记忆体及其制作方法

摘要

本发明是有关于一种记忆体及其制作方法。该制作方法是先在基底上形成多条在第一方向延伸的堆叠结构。每一堆叠结构包括多个第一绝缘层与多个第二绝缘层。这些第一绝缘层堆叠于基底上，且第二绝缘层分别位于相邻的第一绝缘层之间。然后在每一堆叠结构中形成多条在第一方向延伸的沟槽。这些沟槽位于每一第二绝缘层的相对二侧。接着，在沟槽中填入第一导体层。之后，在这些堆叠结构上形成多条在第二方向延伸的电荷储存结构以及在每一电荷储存结构上形成第二导体层。本发明藉由在基板上交替堆叠具有不同蚀刻速率的绝缘层，并藉由蚀刻部分绝缘层来形成填入位元线的区域，可以突破现有微影技术的限制形成具有较小尺寸的位元线，提高记忆体的记忆密度。

主权项

一种记忆体的制作方法，其特征在于其包括以下步骤：在一基底上形成多条在一第一方向延伸的堆叠结构，每一堆叠结构包括多个第一绝缘层以及多个第二绝缘层，该些第一绝缘层堆叠于该基底上，且该些第二绝缘层分别位于相邻的该些第一绝缘层之间；在每一堆叠结构中形成多条在该第一方向延伸的沟槽，该些沟槽位于每一第二绝缘层的相对二侧；在该些沟槽中填入一第一导体层；以及在该些堆叠结构上形成多条在一第二方向延伸的电荷储存结构以及在每一电荷储存结构上形成一第二导体层。