[发明专利]一种碳纳米管-硅异质结太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201110315126.4 | 申请日: | 2011-10-17 |
公开(公告)号: | CN102368503A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 王红光;韦进全;白曦;贾怡;李培旭;朱宏伟;王昆林;吴德海 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳纳米管-硅异质结太阳能电池及其制作方法。所述太阳能电池包括下电极、设于所述下电极上的硅片、沉积于所述硅片上的环状的绝缘层、沉积于所述硅片上且位于所述环状的绝缘层的环腔内的碘化亚铜颗粒、铺设于所述绝缘层、硅片和碘化亚铜颗粒上的碳纳米管薄膜以及设于所述碳纳米管上的环形的上电极。本发明提供上述太阳能电池的制作方法,包括如下步骤:将上下表面设有下电极和环形绝缘层的的硅片置于Cu(NO3)2与HF的混合水溶液中进行刻蚀得到表面有铜颗粒的硅片;将上述硅片置于碘的乙醇溶液中进行卤化反应得到表面有碘化亚铜颗粒的硅片;在上述硅片上铺设所述碳纳米管薄膜;然后在所述碳纳米管薄膜上沉积上电极即得所述太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 硅异质结 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种碳纳米管‑硅异质结太阳能电池,其特征在于:所述太阳能电池包括下电极、设于所述下电极上的硅片、沉积于所述硅片上的环状的绝缘层、沉积于所述硅片上且位于所述环状的绝缘层的环腔内的碘化亚铜颗粒、铺设于所述绝缘层、硅片和碘化亚铜颗粒上的碳纳米管薄膜以及设于所述碳纳米管薄膜上的环形的上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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