[发明专利]提高写入速度的浮体动态随机存储器单元及其制作方法

摘要

一种提高写入速度的浮体动态随机存储器单元，包括：形成在底层硅上的氧埋层，所述氧埋层上方设置有若干第一MOS管和第二MOS管，每一个MOS管底部为衬底，衬底的两端接触浅沟槽隔离，所述衬底靠近所述浅沟槽隔离的上端分别设置有源端和漏端，所述源端和漏端之间的衬底上具有沟道，所述沟道的上方设置有栅极，所述栅极位于所述MOS管两端浅沟槽之间正中位置，所述漏端远离所述浅沟槽隔离的一侧具有第一掺杂离子区域，所述源端远离所述浅沟槽隔离的一侧具有第二掺杂离子区域，所述第一掺杂离子区域的面积比所述第二掺杂离子区域的面积大；所述栅极与所述漏端在竖直方向上的交叠区域比所述栅极与源端在竖直方向上的交叠区域大。

主权项

一种提高写入速度的浮体动态随机存储器单元，包括：形成在底层硅上的氧埋层，所述氧埋层上方设置有若干第一MOS管和第二MOS管，每一个MOS管底部为衬底，衬底的两端接触浅沟槽隔离，所述衬底靠近所述浅沟槽隔离的上端分别设置有源端和漏端，所述源端和漏端之间的衬底上具有沟道，所述沟道的上方设置有栅极，所述栅极位于所述MOS管两端浅沟槽之间正中位置，其特征在于： 所述漏端远离所述浅沟槽隔离的一侧具有第一掺杂离子区域，所述源端远离所述浅沟槽隔离的一侧具有第二掺杂离子区域，所述第一掺杂离子区域的面积比所述第二掺杂离子区域的面积大；所述栅极与所述漏端在竖直方向上的交叠区域比所述栅极与源端在竖直方向上的交叠区域大；所述第一掺杂离子区域与沟道之间的距离比所述第二掺杂离子区域与沟道之间的距离短。