[发明专利]一种防回流的原子层沉积设备及其使用方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种防回流的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；气路部件包括第一管道和第二管道，第一管道和第二管道的末端结合处延伸出一段公共管道与沉积室相连；第一管道和第二管道上分别设有一对反应气体源瓶和清理气体源瓶，反应气体源瓶设置在第一管道和第二管道上靠近沉积室的一端。本发明还提供一种防回流的原子层沉积设备的使用方法。本发明提高了原子层沉积设备化学试剂的利用率，降低残留试剂对气体试剂的污染，减少了流量偏移，有效避免了气体回流现象，同时减少清理气体停留时间和化学试剂的去除时间，降低沉积反应周期时间。

主权项

一种防回流的原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室，其特征在于：所述气路部件包括第一管道和第二管道，所述第一管道和所述第二管道的末端结合处延伸出一段公共管道，所述公共管道与所述沉积室相连；所述第一管道和所述第二管道上分别设有一对反应气体源瓶和清理气体源瓶，所述清理气体源瓶设置在所述第一管道和所述第二管道上靠近所述沉积室的一端。