[发明专利]基于模拟退火算法的自适应压力控制的原子层沉积设备有效
申请号: | 201110309981.4 | 申请日: | 2011-10-13 |
公开(公告)号: | CN103046029A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于模拟退火算法的自适应压力控制的原子层沉积设备,包括沉积腔室、等离子气体产生系统、射频电源匹配器、射频电源、气压采集电路、模拟退火控制电路、抽气装置以及充气装置。本发明提供的基于模拟退火算法的自适应压力控制的原子层沉积设备,采用基于模拟退火算法的自适应控制算法控制原子层沉积设备的腔室气压,使之保持在设定的气压范围内,且能够快速的达到预设的气压值,不但能够使原子层沉积设备迅速进入稳定的工作状态,而且能够减少化学试剂的浪费,提高实际利用率,降低残留试剂对气体试剂的污染,降低沉积反应周期时间,能够得到均匀性、纯度及厚度控制等性能良好的薄膜。 | ||
搜索关键词: | 基于 模拟 退火 算法 自适应 压力 控制 原子 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种基于模拟退火算法的自适应压力控制的原子层沉积设备,包括沉积腔室、等离子气体产生系统、射频电源匹配器及射频电源,其特征在于,还包括:气压采集电路、模拟退火控制电路、抽气装置以及充气装置;所述气压采集电路采集所述沉积腔室的气压;所述模拟退火控制电路接收所述气压采集电路采集的气压,控制所述充气装置对所述沉积腔室充气,控制所述抽气装置对所述沉积腔室抽气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110309981.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:投影显示装置及其控制方法
- 下一篇:一种安装有无缝盖板的成品排水沟
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的