[发明专利]基于模拟退火算法的自适应压力控制的原子层沉积设备有效
申请号: | 201110309981.4 | 申请日: | 2011-10-13 |
公开(公告)号: | CN103046029A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 模拟 退火 算法 自适应 压力 控制 原子 沉积 设备 | ||
1.一种基于模拟退火算法的自适应压力控制的原子层沉积设备,包括沉积腔室、等离子气体产生系统、射频电源匹配器及射频电源,其特征在于,还包括:
气压采集电路、模拟退火控制电路、抽气装置以及充气装置;
所述气压采集电路采集所述沉积腔室的气压;
所述模拟退火控制电路接收所述气压采集电路采集的气压,控制所述充气装置对所述沉积腔室充气,控制所述抽气装置对所述沉积腔室抽气。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述抽气装置包括:
电压电流放大模块、继电器、泵组控制器、机械泵、分子泵及手动调节阀;
所述电压电流放大模块的输出端依次通过所述继电器、泵组控制器、机械泵、分子泵及手动调节阀与所述沉积腔室的输入端连接;
所述电压电流放大模块的输入端与所述模拟退火控制电路的输出端连接。
3.根据权利要求3所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述充气装置包括:
两个质量流量控制器、电磁阀及手动调节阀;
其中一所述质量流量控制器的输入端与所述模拟退火控制电路的输出端连接,输出端依次通过所述电磁阀及手动调节阀与所述沉积腔室的输入端连接,输出端还与所述气压采集电路连接;
另一所述质量流量控制器的输入端与所述模拟退火控制电路的输出端连接,输出端通过所述电磁阀与所述等离子气体产生系统连接。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述模拟退火控制电路包括:
计算机和数据处理模块;
所述计算机通过所述数据处理模块接收所述气压采集电路采集的气压,判断所述沉积腔室的气压是否处于预设范围,当所述气压低于预设范围时,则控制所述质量流量控制器、电磁阀及手动调节阀对所述沉积腔室充气;
当所述气压高于预设范围时,则通过所述数据处理模块发送开启命令,控制所述电压电流放大模块输出高电压,控制继电器接通,进而开启所述泵组控制器的电源,启动机械泵、分子泵及打开手动调节阀对所述沉积腔室抽气。
5.根据权利要求3或4所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述充气装置还包括:
惰性气体源瓶,所述惰性气体源瓶的输入端通过一电磁阀与所述一质量流量控制器的输出端连接,所述惰性气体源瓶的输出端与手动电磁阀连接。
6.根据权利要求4所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述原子层沉积设备还包括:
温度控制器,所述温度控制器连接在所述沉积腔室与所述数据处理模块之间。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的