[发明专利]带有MOSFET和低正向电压的等效二极管增强型JFET的半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110306022.7 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102437187A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 雷燮光;王薇 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/861;H01L27/07;H01L21/82;H02J7/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提出了一种带有集成的MOSFET和等效增强型JFET的半导体芯片。MOSFET-JFET芯片包括类型-1导电类型的公共半导体衬底区(公共半导体衬底区)。MOSFET器件和等效增强型JFET(等效二极管增强型JFET)器件位于公共半导体衬底区上方。等效二极管增强型JFET器件具有公共半导体衬底区，作为其等效二极管增强型JFET漏极。至少两个类型-2导电类型的等效二极管增强型JFET栅极区位于等效二极管增强型JFET漏极上方，并且在水平方向上相互分离，带有等效二极管增强型JFET栅极间距。至少一个类型-1导电类型的等效二极管增强型JFET源极位于公共半导体衬底区上方，以及等效二极管增强型JFET栅极之间。顶部等效二极管增强型JFET电极位于等效二极管增强型JFET栅极区和等效二极管增强型JFET源极区上方，并与它们相接触。如果配置得合适，等效二极管增强型JFET会同时具有大幅低于PN结二极管的正向电压Vf，以及可以与PN结二极管相比拟的反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 mosfet 正向 电压 等效 二极管 增强 jfet 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有集成的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和等效二极管增强型场效应管(JFET)的半导体器件芯片，其特征在于，包括：第一导电类型的较低的公共半导体衬底区(CSSR)；一个位于公共半导体衬底区顶部的MOSFET器件区，具有：公共半导体衬底区作为其MOSFET漏极区；至少一个第二导电类型的MOSFET本体区、一个MOSFET栅极区和一个第一导电类型的MOSFET源极区位于MOSFET漏极区顶部；以及一个等效二极管增强型JFET(DCE‑JFET)器件区位于公共半导体衬底区顶部，具有：公共半导体衬底区作为其等效二极管增强型JFET漏极区；至少两个第二导电类型的等效二极管增强型JFET栅极区位于等效二极管增强型JFET漏极区顶部，并沿公共半导体衬底区的一个主平面横向相互分开一个等效二极管增强型JFET的栅极间距；至少一个第一导电类型的等效二极管增强型JFET源极区位于公共半导体衬底区顶部以及等效二极管增强型JFET栅极区之间，其中等效二极管增强型JFET源极区短接至等效二极管增强型JFET栅极区；以及公共半导体衬底区将MOSFET器件漏极区串联到等效二极管增强型JFET器件的漏极区。
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