[发明专利]一种共振隧穿有机发光二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种共振隧穿有机发光二极管及其制备方法。本发明根据基于SIT的有机发光晶体管的器件结构，使夹在两层空穴传输层之间的中间金属电极(G极)与本发明提出的共振隧穿有机发光二极管的ITO导电电极(S极)和电极(D极)之间形成的有效重叠面积具有某一小的失配面积，该小的失配面积形成载流子隧穿沟道，形成具有发光行为的共振隧穿二极管。本发明提出的共振隧穿有机发光二极管与已有的有机分子共振隧穿二极管相比具有以下优点：1.结构简单；2.制备方法简便、易操作；3.具有发光的特性。4.其峰谷电流比(PVCR)高(达到8.8以上)，而且该峰谷电流比PVCR随着栅极电压VG的变化而增大。

主权项

一种共振隧穿有机发光二极管，其特征在于：包括一层ITO导电电极，即S极；然后在该ITO导电电极上制备一层有机空穴传输层1，接着在该有机空穴传输层1上制备一层中间金属电极，即G极，然后再在该中间金属电极上制备一层有机空穴传输层2，之后在该有机空穴传输层2上再制备一层有机发光材料，最后在该有机发光材料薄膜上真空蒸镀电极，即D极，完成共振隧穿有机发光二极管器件的制备；在制备中间金属电极时，该中间金属电极G极与S极和D极之间形成的有效重叠面积具有某一小的失配面积，通过该失配面积形成载流子的隧穿沟道，从而使整个器件形成具有发光行为的共振隧穿有机发光二极管；该某一小的失配面积远远小于S极和D极之间形成的有效重叠面积。