[发明专利]一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法有效

专利信息
申请号: 201110302464.4 申请日: 2011-10-09
公开(公告)号: CN102437166A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 时文华 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法,包括以下步骤:一、在SOI的顶层表面通过光刻结合刻蚀工艺将顶层材料刻穿至到达SOI的埋层材料,在所述SOI的埋层表面形成若干个独立的热隔离柱;二、将所述步骤一中形成的热隔离柱与衬底键合;三、去除SOI的底层材料,露出SOI的埋层底面;四、采用光刻结合刻蚀工艺,对所述步骤三中非热隔离柱区域对应的SOI的埋层进行刻蚀至刻穿,形成若干个独立的像素点;五、采用电子束蒸镀方法,在所述步骤四的像素点表面制备可调谐热光带通滤波器。本发明通过引入键合工艺,在实现像素点之间热隔离的同时,避开使用牺牲层,制造工艺简单可靠,更有利于技术的推广普及。
搜索关键词: 一种 制冷 红外 探测 系统 像素 阵列 制作方法
【主权项】:
一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:在SOI的顶层(1)表面通过光刻结合刻蚀工艺将顶层(1)材料刻穿至到达SOI的埋层(2)材料,在所述SOI的埋层(2)表面形成若干个独立的热隔离柱(4);步骤二:将所述步骤一中形成的热隔离柱(4)与衬底(5)键合;步骤三:去除SOI的底层(3)材料,露出SOI的埋层(2)底面;步骤四:采用光刻结合刻蚀工艺,对所述步骤三中非热隔离柱(4)区域对应的SOI的埋层(2)进行刻蚀至刻穿,形成若干个独立的像素点(6);步骤五:采用电子束蒸镀方法,在所述步骤四的像素点(6)表面制备可调谐热光带通滤波器(70),获得目标产品。
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