[发明专利]一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法有效
申请号: | 201110302464.4 | 申请日: | 2011-10-09 |
公开(公告)号: | CN102437166A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 时文华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法,包括以下步骤:一、在SOI的顶层表面通过光刻结合刻蚀工艺将顶层材料刻穿至到达SOI的埋层材料,在所述SOI的埋层表面形成若干个独立的热隔离柱;二、将所述步骤一中形成的热隔离柱与衬底键合;三、去除SOI的底层材料,露出SOI的埋层底面;四、采用光刻结合刻蚀工艺,对所述步骤三中非热隔离柱区域对应的SOI的埋层进行刻蚀至刻穿,形成若干个独立的像素点;五、采用电子束蒸镀方法,在所述步骤四的像素点表面制备可调谐热光带通滤波器。本发明通过引入键合工艺,在实现像素点之间热隔离的同时,避开使用牺牲层,制造工艺简单可靠,更有利于技术的推广普及。 | ||
搜索关键词: | 一种 制冷 红外 探测 系统 像素 阵列 制作方法 | ||
【主权项】:
一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:在SOI的顶层(1)表面通过光刻结合刻蚀工艺将顶层(1)材料刻穿至到达SOI的埋层(2)材料,在所述SOI的埋层(2)表面形成若干个独立的热隔离柱(4);步骤二:将所述步骤一中形成的热隔离柱(4)与衬底(5)键合;步骤三:去除SOI的底层(3)材料,露出SOI的埋层(2)底面;步骤四:采用光刻结合刻蚀工艺,对所述步骤三中非热隔离柱(4)区域对应的SOI的埋层(2)进行刻蚀至刻穿,形成若干个独立的像素点(6);步骤五:采用电子束蒸镀方法,在所述步骤四的像素点(6)表面制备可调谐热光带通滤波器(70),获得目标产品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的