[发明专利]制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法

摘要

本发明公开了一种制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，包括以下步骤：第一步，刻蚀出零层光刻标记沟槽；第二步，淀积一层介质层，并且去除零层光刻标记沟槽以外区域的介质层；第三步，刻蚀出深沟槽；第四步，在硅衬底上选择性生长一层外延层；第五步，将外延生长过程中淀积在硅衬底上的反型外延材料去除；第六步，用湿法刻蚀的方法将零层光刻标记沟槽内的介质层刻蚀掉，留下零层光刻标记图形。本发明能够在无阻挡层的高压器件上形成容易辨认的光刻标记，方便后续膜层的对准，能够保证工艺流程的顺畅，提高产品的良率。

主权项

一种制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在硅衬底上形成一层光阻，并在硅衬底上进行曝光显影；然后在硅衬底上刻蚀出零层光刻标记沟槽；零层光刻标记沟槽的深度为0.1～10微米，宽度为1～10微米，长度为1～10微米；沟槽的形貌为垂直或者倾斜；第二步，将硅衬底上的光阻去除；然后在硅衬底上淀积一层厚度为0.1～10微米的介质层；之后通过化学机械研磨去除零层光刻标记沟槽以外区域的介质层；所述介质层为氧化膜或者氮化膜；第三步，在硅衬底上形成一层光阻，用干法刻蚀的方法刻蚀出深沟槽；深沟槽的深度为10～100微米，宽度为1～10微米；然后将硅衬底上的光阻去除；第四步，在硅衬底上选择性生长一层外延层，使外延层将深沟槽填满；外延层的淀积厚度为0.5～5微米；第五步，用化学机械研磨的方式将外延生长过程中淀积在硅衬底上的反型外延材料去除；第六步，用湿法刻蚀的方法将零层光刻标记沟槽内的介质层刻蚀掉，留下零层光刻标记图形。