[发明专利]制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法

权利要求书

1.一种制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，在硅衬底上形成一层光阻，并在硅衬底上进行曝光显影；然后在硅衬底上刻蚀出零层光刻标记沟槽；零层光刻标记沟槽的深度为0.1～10微米，宽度为1～10微米，长度为1～10微米；沟槽的形貌为垂直或者倾斜；

第二步，将硅衬底上的光阻去除；然后在硅衬底上淀积一层厚度为0.1～10微米的介质层；之后通过化学机械研磨去除零层光刻标记沟槽以外区域的介质层；所述介质层为氧化膜或者氮化膜；

第三步，在硅衬底上形成一层光阻，用干法刻蚀的方法刻蚀出深沟槽；深沟槽的深度为10～100微米，宽度为1～10微米；然后将硅衬底上的光阻去除；

第四步，在硅衬底上选择性生长一层外延层，使外延层将深沟槽填满；外延层的淀积厚度为0.5～5微米；

第五步，用化学机械研磨的方式将外延生长过程中淀积在硅衬底上的反型外延材料去除；

第六步，用湿法刻蚀的方法将零层光刻标记沟槽内的介质层刻蚀掉，留下零层光刻标记图形。

2.根据权利要求1所述的制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，其特征在于，所述第一步中零层光刻标记沟槽的尺寸为：深度0.5～5微米，宽度1～6微米，长度1～10微米。

3.根据权利要求1所述的制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，其特征在于，所述第二步中的介质层由减压或者常压化学气相沉积的方法生成。

4.根据权利要求1所述的制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，其特征在于，所述第二步中的介质层填满零层光刻标记沟槽，或者覆盖零层光刻标记沟槽的部分高度。

5.根据权利要求1所述的制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，其特征在于，所述第二步中的介质层的厚度为0.1～1微米。

6.根据权利要求1所述的制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，其特征在于，所述第二步化学机械研磨所使用的研磨液为包含二氧化硅和含氢氧根的碱性液体稳定剂。

7.根据权利要求1所述的制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，其特征在于，所述第三步中深沟槽的尺寸为：深度30～100微米，宽度1～5微米。

8.根据权利要求1所述的制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，其特征在于，所述第四步中外延层的淀积厚度为0.5～2.5微米。

9.根据权利要求1所述的制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，其特征在于，所述第四步中选择性生长外延层的方法采用减压化学气相沉积方法，并使用刻蚀性气体氯化氢来选择性生长在硅片表面。

10.根据权利要求1所述的制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，其特征在于，所述第六步的湿法刻蚀过程中，对于氧化膜介质层，所使用的刻蚀药液为缓冲氢氟酸，缓冲氢氟酸药液的浓度为0.01～20％，刻蚀量为0.1～1微米；对于氮化膜介质层，所使用的刻蚀药液为磷酸溶液，溶液的温度为150～200℃，溶液的浓度为20～80％，刻蚀量为0.1～1微米。