[发明专利]一种嵌入式闪存的制作方法有效
| 申请号： | 201110301256.2 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102361021B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王哲献;高超;胡勇;于涛;江红;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种嵌入式闪存的制作方法，包括：将半导体衬底划分为闪存区域和逻辑区域，在半导体衬底上依次形成二氧化硅层、浮栅多晶硅层以及第一氮化硅层，在逻辑区域和闪存区域内分别形成浅沟槽；在浅沟槽内填充绝缘物，以形成浅沟槽隔离；在第一氮化硅层以及浅沟槽隔离上形成第二氮化硅层；在闪存区域形成凹槽；在第二氮化硅层上沉积有源多晶硅层，以在凹槽内形成源极；采用化学机械研磨平坦化处理所述有源多晶硅层；采用湿法刻蚀去除第一氮化硅层和第二氮化硅层；去除逻辑区域的浮栅多晶硅层，在逻辑区域形成CMOS结构，在闪存区域形成字线。本发明提供的嵌入式闪存的制作方法，节约了工艺制程的步骤，提高了去除第二氮化硅层的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 闪存 制作方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，包括：将半导体衬底划分为闪存区域和逻辑区域，在所述半导体衬底上依次形成二氧化硅层、浮栅多晶硅层以及第一氮化硅层，在所述逻辑区域和所述闪存区域内分别形成浅沟槽；在所述浅沟槽内填充绝缘物，以形成浅沟槽隔离；在所述第一氮化硅层以及所述浅沟槽隔离上形成第二氮化硅层；在所述闪存区域形成凹槽；在所述第二氮化硅层上沉积有源多晶硅层，以在所述凹槽内形成源极；采用化学机械研磨平坦化处理所述有源多晶硅层；采用湿法刻蚀去除所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层；去除所述逻辑区域的所述浮栅多晶硅层，在所述逻辑区域形成CMOS结构，在所述闪存区域形成字线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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