[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201110299803.8 申请日: 2011-10-08
公开(公告)号: CN103035293A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 矢野胜;蒋汝平 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/04
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 任默闻
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种半导体存储装置,包括:存储器阵列,由复数单元组行列状地配置而成,每一单元组由电性可改写的存储器元件串联连接所组成;列选择装置,用以选择单元组中的列方向的存储器元件;以及位线选择电路,用以选择耦接至单元组的位线;其中,位线选择电路包括:第一选择部分,其包括选择晶体管,用以选择性地耦接偶数位线或奇数位线至检测电路;以及第二选择部分,其包括偏压晶体管,用以选择性地耦接偶数位线或奇数位线至提供偏压的电压源;偏压晶体管与存储器阵列的存储器元件形成在共通的井中。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
一种半导体存储装置,其特征在于,所述的半导体存储装置包括:存储器阵列,由复数单元组行列状地配置而成,每一所述的单元组由电性可改写的存储器元件串联连接所组成;列选择装置,用以选择所述的单元组中的列方向的存储器元件;以及位线选择电路,用以选择耦接至所述的单元组的位线;其中,所述的位线选择电路包括:第一选择部分,其包括选择晶体管,用以选择性地耦接偶数位线或奇数位线至检测电路;以及第二选择部分,其包括偏压晶体管,用以选择性地耦接所述的偶数位线或所述的奇数位线至提供偏压的电压源;所述的偏压晶体管与所述的存储器阵列的存储器元件形成在共通的井中。
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